麗水半導體晶圓切割劃片廠

隨著Chiplet技術的興起，晶圓切割需要更高的位置精度以保證后續的異構集成。中清航科開發的納米級定位切割系統，采用氣浮導軌與光柵尺閉環控制，定位精度達到±0.1μm，配合雙頻激光干涉儀進行實時校準，確保切割道位置與設計圖紙的偏差不超過0.5μm，為Chiplet的高精度互聯奠定基礎。中清航科深諳半導體設備的定制化需求，可為客戶提供從工藝驗證到設備交付的全流程服務。其技術團隊會深入了解客戶的晶圓規格、材料特性與產能要求，定制專屬切割方案，如針對特殊異形Die的切割路徑優化、大尺寸晶圓的分片切割策略等，已成功為多家頭部半導體企業完成定制化項目交付。晶圓切割MES系統中清航科定制，實時追蹤每片切割工藝參數。麗水半導體晶圓切割劃片廠

中清航科注重與科研機構的合作創新，與國內多所高校共建半導體切割技術聯合實驗室。圍繞晶圓切割的前沿技術開展研究，如原子層切割、超高頻激光切割等，已申請發明專利50余項，其中“一種基于飛秒激光的晶圓超精細切割方法”獲得國家發明專利金獎，推動行業技術進步。晶圓切割設備的軟件系統是其智能化的中心，中清航科自主開發了切割控制軟件，具備友好的人機交互界面與強大的功能。支持多種格式的晶圓版圖文件導入，可自動生成切割路徑，同時提供離線編程功能，可在不影響設備運行的情況下完成新程序的編制與模擬，提高設備利用率。衢州碳化硅半導體晶圓切割刀片中清航科推出晶圓切割應力模擬軟件，提前預判崩邊風險。

為幫助客戶應對半導體行業的技術人才短缺問題，中清航科推出“設備+培訓”打包服務。購買設備的客戶可獲得技術培訓名額，培訓內容涵蓋設備操作、工藝調試、故障排除等，培訓結束后頒發認證證書。同時提供在線技術支持平臺，隨時解答客戶在生產中遇到的技術問題。隨著半導體器件向微型化、集成化發展，晶圓切割的精度要求將持續提升。中清航科已啟動亞微米級切割技術的產業化項目，計劃通過引入更高精度的運動控制系統與更短波長的激光源，實現500nm以內的切割精度，為量子芯片、生物傳感器等前沿領域的發展提供關鍵制造設備支持。

中清航科創新性推出“激光預劃+機械精切”復合方案：先以激光在晶圓表面形成引導槽，再用超薄刀片完成切割。此工藝結合激光精度與刀切效率，解決化合物半導體（如GaAs、SiC）的脆性開裂問題，加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應力集中等痛點。中清航科全自動切割機配備多軸聯動補償系統，通過實時監測晶圓形變動態調整切割參數。搭配吸附托盤，將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內，支持3DNAND多層堆疊結構加工。中清航科切割耗材全球供應鏈，保障客戶生產連續性。

中清航科開放6條全自動切割產線，支持從8英寸化合物半導體到12英寸邏輯晶圓的來料加工。云端訂單系統實時追蹤進度，平均交貨周期48小時，良率承諾99.2%。先進封裝RDL層切割易引發銅箔撕裂。中清航科應用超快飛秒激光（脈寬400fs）配合氦氣保護，在銅-硅界面形成納米級熔融區，剝離強度提升5倍。中清航科搭建全球較早切割工藝共享平臺，收錄3000+材料參數組合。客戶輸入晶圓類型/厚度/目標良率，自動生成比較好參數包，工藝開發周期縮短90%。超窄街切割方案中清航科實現30μm道寬，芯片數量提升18%。蘇州半導體晶圓切割藍膜

切割道寬度測量儀中清航科研發，在線檢測精度達0.05μm。麗水半導體晶圓切割劃片廠

晶圓切割的主要目標之一是從每片晶圓中獲得高產量的、功能完整且無損的芯片。產量是半導體制造中的一個關鍵性能指標，因為它直接影響電子器件生產的成本和效率。更高的產量意味著每個芯片的成本更造能力更大，制造商更能滿足不斷增長的電子器件需求。晶圓切割直接影響到包含這些分離芯片的電子器件的整體性能。切割過程的精度和準確性需要確保每個芯片按照設計規格分離，尺寸和對準的變化小。這種精度對于在終設備中實現比較好電氣性能、熱管理和機械穩定性至關重要。麗水半導體晶圓切割劃片廠