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    【2024年3月13日，德國慕尼黑訊】2023年9月15日，全球功率系統和物聯網領域的半導體***英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）管理委員會經監事會批準，決定通過證券交易所回購多達700萬股**（ISINDE），回購總價（不含附帶成本）高達3億歐元。此次回購由一家*****機構**英飛凌通過法蘭克福證券交易所的Xetra交易進行，定于2024年2月26日開始，并在2024年3月28日前（含當日）完成。回購的目的是根據現行的員工持股計劃，向公司或關聯公司員工、公司管理委員會成員以及關聯公司管理委員會和董事會成員發放**。此次回購根據2023年2月16日年度股東大會的授權進行，并將根據歐盟第596/2014號條例第5條以及2016年3月8日歐盟委員會第2016/1052號授權條例的規定（歐盟第2016/1052號授權條例）執行。該授權條例補充了歐盟第596/2014號條例（回購計劃和穩定措施適用條件的監管技術標準）。更多詳情，請參閱根據歐盟第596/2014號條例第5（1））條和歐盟第2016/1052號授權條例第2（1）條發布的公告。該公告也發布于英飛凌網站。回購計劃中的所有交易都將根據歐盟第2016/1052號授權條例的要求予以公布。英飛凌將在其網站定期更新**回購的進展情況。 英飛凌infineon一級分銷商，商品批發價格。TO-263-7TLE9461ESV33XUMA1INFINEON英飛凌

    英飛凌通過不斷的技術創新和產品研發，持續推出滿足市場需求的高性能半導體產品。積極拓展業務領域，加強在汽車電子、工業功率器件、芯片卡和安全應用等領域的市場份額。還通過戰略收購，如 2019 年收購美國賽普拉斯公司，進一步擴大了自己的業務范圍和市場份額，增強了公司在全球半導體市場的競爭力。英飛凌的技術創新和產品應用推動了整個半導體行業的發展。其 300mm 氮化鎵功率半導體晶圓技術的推出，為 gan 功率半導體市場的發展提供了強大的動力，促進了 gan 在工業、汽車、消費、計算和通信等領域的廣泛應用。超薄硅功率晶圓技術的突破，也為半導體制造技術的發展提供了新的思路和方向，帶領了行業的技術進步。 LQFP64TLD5095ELXUMA1INFINEON英飛凌INFINEON英飛凌時鐘和計時器IC、驅動器IC運用范圍。

    5G 乃至未來 6G 通信的蓬勃發展，離不開英飛凌半導體的支撐。在基站端，其射頻（RF）芯片負責信號的發射與接收，高線性度、低噪聲特性確保信號傳輸清晰、穩定，即便在復雜電磁環境下也能滿足海量用戶同時接入需求。手機等終端設備中，英飛凌芯片同樣關鍵，既保障 5G 高速數據傳輸，又兼顧低功耗續航要求。同時，在物聯網通信模塊里，它讓智能穿戴設備、智能家居傳感器等低功耗廣域網（LPWAN）設備實現遠程、可靠連接，為萬物互聯筑牢根基，幕后推動通信變革。

    集成電路設計是一門綜合性的藝術與科學。在設計過程中，首先要考慮的是功能需求，根據芯片的應用場景確定其需要具備的各種功能模塊，如處理器、存儲單元、接口電路等，并進行合理的架構設計，以優化芯片的性能和功耗。電路設計則需要精心規劃各個晶體管之間的連接和信號傳輸路徑，確保信號的完整性和準確性。同時，為了提高芯片的可靠性，需要進行大量的冗余設計和容錯機制的構建。在創新理念方面，隨著人工智能、物聯網等新興技術的興起，集成電路設計開始注重針對特定應用的優化，如專門為人工智能算法設計的加速芯片（AI 芯片），采用特殊的架構和計算單元，能夠大幅提高人工智能任務的處理效率。此外，異構集成設計理念也逐漸流行，將不同功能、不同工藝制造的芯片集成在一起，實現優勢互補，滿足復雜系統的需求。infineon/英飛凌處理器專門應用TLE75008-ESD。

    集成電路的出現堪稱電子技術領域的一次偉大變革。20 世紀 50 年代末，杰克?基爾比和羅伯特?諾伊斯等先驅者的智慧結晶，開啟了集成電路的新紀元。早期的集成電路只包含少量的晶體管和簡單電路元件，功能相對單一。然而，隨著半導體制造技術的不斷演進，光刻精度逐步提高，芯片上能夠集成的晶體管數量呈指數級增長。從一開始的幾十上百個，到如今高級芯片集成數十億甚至上百億個晶體管。這一發展歷程不只見證了科技的飛速進步，更為現代電子設備的微型化、高性能化奠定了堅實基礎。如今，集成電路廣泛應用于計算機、通信、消費電子等各個領域，成為推動全球數字化進程的重要力量，每一次技術突破都在重塑著我們的生活方式和經濟格局。INFINEON英飛凌均衡器芯片組集成電路。TO-263-7TLE9461ESV33XUMA1INFINEON英飛凌

infineon/英飛凌CPLD復雜可編程邏輯器件TLE4921-5U。TO-263-7TLE9461ESV33XUMA1INFINEON英飛凌

    集成電路制造是一個高度復雜且精密的過程，面臨著諸多技術挑戰。首先，光刻技術是制造過程中的關鍵環節，它需要將設計好的電路圖案精確地轉移到硅片上，隨著芯片集成度的提高，對光刻分辨率的要求越來越高，目前已進入極紫外光刻（EUV）時代，但仍面臨著設備昂貴、技術難度大等問題。其次，芯片制造過程中的材料純度要求極高，哪怕是極其微小的雜質都可能影響芯片的性能和可靠性。此外，在晶體管制造過程中，如鰭式場效應晶體管（FinFET）等新型晶體管結構的制備，需要精確控制工藝參數，以實現良好的電學性能和穩定性。集成電路制造還需要解決芯片散熱問題，隨著芯片功率密度的不斷增加，如何有效地將熱量散發出去，防止芯片過熱導致性能下降甚至損壞，是亟待攻克的難題。TO-263-7TLE9461ESV33XUMA1INFINEON英飛凌