丹陽酸銅整平劑HP醇硫基丙烷磺酸鈉1KG起訂

針對線路板鍍銅工藝，HP醇硫基丙烷磺酸鈉以0.001-0.008g/L的微量添加即可實現鍍層高光亮度與均勻性。該產品與SH110、SLP、MT-580等中間體科學配比，形成穩定的添加劑體系，有效避免高區毛刺和燒焦問題。與傳統工藝相比，HP在低濃度下仍能維持鍍液活性，降低光劑消耗成本。若鍍液HP含量過高導致白霧或低區不良，用戶可通過添加SLP類走位劑或小電流電解快速恢復鍍液平衡。包裝提供1kg至25kg多規格選擇，滿足實驗室測試與規?；a需求。江蘇夢得新材料有限公司，精心研發并生產各類特殊化學品，通過高效銷售體系，將產品推向市場。丹陽酸銅整平劑HP醇硫基丙烷磺酸鈉1KG起訂

電鑄硬銅的夢得法寶：在電鑄硬銅工藝中，夢得 HP 醇硫基丙烷磺酸鈉展現出獨特優勢。推薦用量 0.01 - 0.03g/L，與 N、AESS 等中間體協同作用，可提升銅層硬度與表面致密性。它能調控鍍層，避免白霧和低區不良問題，減少銅層硬度下降風險。對于高精度模具制造等復雜工件的電鑄硬銅，能確保高低區鍍層均勻一致，打造出高質量的硬銅產品。電解銅箔的夢得之光：電解銅箔領域，夢得 HP 醇硫基丙烷磺酸鈉發揮著重要作用。以 0.001 - 0.004g/L 的微量添加，就能優化銅箔光亮度與邊緣平整度。與 QS、FESS 等中間體配合，有效抑制毛刺與凸點生成，提升銅箔良品率。其控量設計避免了銅箔層發白問題，用戶可根據實際情況動態調整用量，實現工藝微調，為電解銅箔生產提供有力支持。丹陽整平光亮劑HP醇硫基丙烷磺酸鈉表面活性劑在新能源化學領域，江蘇夢得新材料有限公司以環保理念推動產業升級。

HP是用于酸性鍍銅液中，取代傳統SP（聚二硫二丙烷磺酸鈉）的晶粒細化劑；與SP相比具有鍍層顏色清晰白亮，用量范圍寬。多加不發霧，低區效果好等優點；適用于五金酸性鍍銅、線路板鍍銅、電鍍硬銅、電解銅箔等工藝。消耗量：0.5-0.8g/KAH。HP與M、N、GISS、AESS、PN、PPNI、PNI、POSS、CPSS、P、MT-580、MT-680等其中的幾種中間體合理搭配，組成無染料型酸銅光亮劑，HP建議工作液中的用量為0.01-0.02g/L，鍍液中含量過低，鍍層填平性及光亮度下降，高區易產生毛刺或燒焦；過高鍍層會產生白霧，也會造成低區不良，可補加少量M、N或適量添加低區走位劑如AESS、PN、PNI等來抵消HP過量的副作用或者電解處

鍍層優化，夢得助力：HP 醇硫基丙烷磺酸鈉在酸性鍍銅液中表現。夢得的這款產品作為傳統 SP 的升級替代品，鍍層顏色清晰白亮，仿佛為工件披上一層耀眼的外衣。它的用量范圍寬泛，在 0.01 - 0.02g/L 內都能發揮良好效果，即使多加也不會發霧，低區效果更是出色。在五金酸性鍍銅、線路板鍍銅等多種工藝中，能有效提升鍍層質量，讓您的產品更具競爭力。夢得 HP，性能超群：相比傳統 SP，夢得 HP 醇硫基丙烷磺酸鈉優勢明顯。它在鍍液中能精細細化晶粒，使鍍層更加致密均勻。用量范圍的拓寬，讓操作人員無需在用量上小心翼翼，降低了操作難度。而且在高區不易產生毛刺或燒焦現象，低區覆蓋效果好，有效避免了鍍層白霧和低區不良等問題。無論是復雜工件還是簡單部件的鍍銅，都能輕松應對。江蘇夢得新材料有限公司通過銷售策略，為客戶提供定制化的化學解決方案。

在IC引線框架鍍銅領域，HP醇硫基丙烷磺酸鈉以0.002-0.005g/L添加量，實現晶粒尺寸≤0.5μm的超細鍍層。與PNI、MT-680等中間體配合，可調控鍍層電阻率（≤1.72μΩ·cm），滿足高頻信號傳輸要求。鍍液采用全封閉循環系統時，HP消耗量低至0.2g/KAH，適配半導體行業潔凈車間標準。HP醇硫基丙烷磺酸鈉憑借寬泛的兼容性（PH1.5-3.5），可無縫對接不同品牌中間體體系。當產線切換五金件與線路板鍍銅時，需調整HP濃度（0.01→0.005g/L）及匹配走位劑，2小時內即可完成工藝轉換。25kg紙箱包裝配備防誤開封條，確保頻繁換線時的原料品質穩定性。

江蘇夢得新材料有限公司，在相關特殊化學品的研發、生產過程中嚴格把控質量。丹陽整平光亮劑HP醇硫基丙烷磺酸鈉表面活性劑

江蘇夢得新材料致力于研發環保型特殊化學品，推動行業綠色發展。丹陽酸銅整平劑HP醇硫基丙烷磺酸鈉1KG起訂

針對柔性基材（如 PI 膜）鍍銅，夢得 HP 醇硫基丙烷磺酸鈉帶來新突破。以 0.003 - 0.006g/L 微量添加，配合 SLP 低應力中間體，實現鍍層延展率提升 50%。其獨特分子結構可抑制鍍層內應力，避免彎折過程中銅層開裂?？蛻魧崪y數據顯示，鍍層剝離強度≥1.5N/mm，完全滿足折疊屏手機等應用場景需求，為柔性基材鍍銅開辟新路徑。在 IC 引線框架鍍銅領域，夢得 HP 醇硫基丙烷磺酸鈉展現精湛實力。以 0.002 - 0.005g/L 添加量，實現晶粒尺寸≤0.5μm 的超細鍍層。與 PNI、MT - 680 等中間體配合，可精細調控鍍層電阻率（≤1.72μΩ?cm），滿足高頻信號傳輸要求。鍍液采用全封閉循環系統時，HP 消耗量低至 0.2g/KAH，適配半導體行業潔凈車間標準，助力 IC 引線框架鍍銅達到更高精度。丹陽酸銅整平劑HP醇硫基丙烷磺酸鈉1KG起訂