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全球射頻微波MLCC市場規(guī)模持續(xù)增長，預(yù)計到2027年將達到77.7億元，年均復(fù)合增長率達8.56%，高于普通MLCC市場。下游5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，為Dalicap的未來增長提供了廣闊的市場空間。公司于2023年12月成功在創(chuàng)業(yè)板上市，獲得了寶貴的資本平臺。募集資金將用于產(chǎn)能擴張、信息化升級和營銷網(wǎng)絡(luò)建設(shè)，這將極大地助力其提升技術(shù)實力、擴大生產(chǎn)規(guī)模、增強市場影響力，為未來的快速發(fā)展注入新動能。Dalicap吸引并凝聚了一支高素質(zhì)的人才團隊，其中不少重心技術(shù)人員來自三星、村田、ATC等國際有名企業(yè)。公司以其發(fā)展前景、民族情懷和實現(xiàn)個人價值的平臺，成功吸引了眾多人才“北上”加盟，形成了強大的人才優(yōu)勢。長壽命設(shè)計降低了終端產(chǎn)品的全生命周期維護成本。DLC75D2R0AW251NT

Dalicap電容通過了很全的可靠性測試，包括MIL-STD-202等標(biāo)準(zhǔn)下的溫度循環(huán)、機械沖擊、振動、耐濕等測試。其產(chǎn)品符合AEC-Q200汽車電子標(biāo)準(zhǔn)，能夠承受汽車環(huán)境的嚴(yán)苛要求，如高溫、高濕和振動，適用于發(fā)動機ECU電源濾波、車載信息娛樂系統(tǒng)和ADAS等領(lǐng)域。在電源分配網(wǎng)絡(luò)（PDN）中，Dalicap電容的低阻抗特性發(fā)揮了關(guān)鍵作用。其極低的ESL和ESR能在寬頻帶內(nèi)（從KHz到GHz）提供低阻抗路徑，有效濾除電源軌上的高頻噪聲，抑制同步開關(guān)噪聲（SSN），為高性能CPU、GPU和ASIC芯片提供純凈、穩(wěn)定的電壓，防止系統(tǒng)時序錯誤和數(shù)據(jù)損壞。DLC75B751GW500XT適用于高海拔等特殊環(huán)境，性能穩(wěn)定不易失效。

Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質(zhì)材料，通過獨特的配方和燒結(jié)工藝，實現(xiàn)了極高的介電常數(shù)和穩(wěn)定性。其電容值范圍覆蓋0.1pF至470μF，工作電壓可達200V，溫度范圍橫跨-55℃至+125℃，部分產(chǎn)品甚至能在+250℃高溫下穩(wěn)定運行。這種寬泛的參數(shù)范圍使其能夠適應(yīng)從消費電子到航空航天等極端環(huán)境的電路需求，為設(shè)計師提供了極大的靈活性。極低的等效串聯(lián)電阻（ESR）和等效串聯(lián)電感（ESL） 是Dalicap電容的重點優(yōu)勢之一。通過三維多層電極設(shè)計和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，其ESR值可低至毫歐姆級別，ESL降至pH級別，從而將自諧振頻率（SRF）推升至GHz頻段。這一特性在高頻開關(guān)電源和射頻功率放大器中至關(guān)重要，能明顯降低能量損耗和熱效應(yīng)，提高系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性。

容值穩(wěn)定性是Dalicap電容的重心優(yōu)勢之一。其C0G（NP0）介質(zhì)的電容溫度系數(shù)（TCC）低至0±30ppm/°C，在-55°C至+125°C的寬溫范圍內(nèi)，容值變化率小于±0.5%。同時，容值隨時間的老化率遵循對數(shù)定律，每十年變化小于1%，表現(xiàn)出驚人的長期穩(wěn)定性，這對于需要長壽命和高可靠性的工業(yè)控制和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用至關(guān)重要。Dalicap電容具備很好的高溫工作能力，最高工作溫度可達+200°C甚至+250°C。其特種陶瓷介質(zhì)和電極系統(tǒng)在高溫下仍能保持優(yōu)異的絕緣電阻和容值穩(wěn)定性，避免了因過熱導(dǎo)致的性能退化。這使得它們能夠直接應(yīng)用于汽車發(fā)動機控制單元（ECU）、航空航天設(shè)備的熱敏感區(qū)域，簡化了熱管設(shè)計。技術(shù)團隊經(jīng)驗豐富，能為客戶提供專業(yè)應(yīng)用建議。

極低的損耗角正切值（Dissipation Factor, DF）是Dalicap電容在高頻功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色的關(guān)鍵。其DF值可低至0.1%，意味著電容自身的能量損耗（轉(zhuǎn)化為熱能）極低。在高功率射頻放大器的輸出匹配和諧振電路中，這一特性直接轉(zhuǎn)化為更高的系統(tǒng)效率和更大的輸出功率能力，同時降低了熱失控風(fēng)險。通過半導(dǎo)體級別的精密制造工藝，Dalicap電容實現(xiàn)了納米級介質(zhì)層厚度控制和微米級的疊層精度。其流延成型和共燒技術(shù)確保了內(nèi)部多層介質(zhì)與電極結(jié)構(gòu)的完整性與可靠性，產(chǎn)品一致性和重復(fù)性極高。這對于需要大量配對使用的相位陣列雷達和多通道通信系統(tǒng)而言，確保了系統(tǒng)性能的均一與穩(wěn)定。持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新確保其產(chǎn)品性能處于行業(yè)頭部水平。DLC70G561JAR302XC

提供定制化服務(wù)，可根據(jù)客戶特殊需求進行協(xié)同設(shè)計。DLC75D2R0AW251NT

公司產(chǎn)品遠銷美國、日本、英國、法國、德國等40余個國家，服務(wù)千余家客戶，成為西門子醫(yī)療、通用電氣、安捷倫、飛利浦醫(yī)療、三星等全球有名企業(yè)的很好供應(yīng)商。這體現(xiàn)了其產(chǎn)品品質(zhì)得到了國際市場的寬泛認(rèn)可。Dalicap電容在高頻諧振電路和濾波器中展現(xiàn)出高Q值（品質(zhì)因數(shù)）特性，通常在數(shù)千量級。這使得由其構(gòu)建的濾波器具有極低的插入損耗和極高的帶外抑制能力，振蕩器則具有更低的相位噪聲和更高的頻率穩(wěn)定性，提升了系統(tǒng)整體性能。公司投入大量資源進行研發(fā)創(chuàng)新，其高Q值、射頻微波多層瓷介電容器項目獲第七屆中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽全國總決賽電子信息行業(yè)成長組一等獎，高Q/高功率型多層片式瓷介電容器關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目獲遼寧省科學(xué)技術(shù)進步獎二等獎，彰顯了其技術(shù)實力。DLC75D2R0AW251NT

深圳市英翰森科技有限公司是一家有著先進的發(fā)展理念，先進的管理經(jīng)驗，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評價，這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結(jié)果，這些評價對我們而言是比較好的前進動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強、一往無前的進取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同深圳市英翰森科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！