Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質材料,通過精密的摻雜和燒結工藝,形成了極其穩定的晶體結構。這種材料基礎賦予了電容極高的介電常數和很低的介質損耗,使其在高頻環境下仍能保持穩定的容值表現。其介質配方完全自主可控,避免了國內外材料供應鏈波動的風險,為國產化替代提供了堅實的材料基礎,確保了產品批次間的高度一致性。在射頻微波應用中,Dalicap電容展現出極低的等效串聯電阻(ESR)和等效串聯電感(ESL)。其三維多層電極設計優化了電流路徑,將寄生參數降至比較低,從而獲得了極高的自諧振頻率(SRF)。這一特性使得它在GHz頻段的射頻電路中,能有效降低信號傳輸的插入損耗和能量反射,保證信號完整性,特別適用于5G基站和毫米波通信設備。具備優異的高溫性能,可在105℃高溫下長時間穩定工作。DLC75D1R8DW251NT

Dalicap電容通過了很全的可靠性測試,包括MIL-STD-202等標準下的溫度循環、機械沖擊、振動、耐濕等測試。其產品符合AEC-Q200汽車電子標準,能夠承受汽車環境的嚴苛要求,如高溫、高濕和振動,適用于發動機ECU電源濾波、車載信息娛樂系統和ADAS等領域。在電源分配網絡(PDN)中,Dalicap電容的低阻抗特性發揮了關鍵作用。其極低的ESL和ESR能在寬頻帶內(從KHz到GHz)提供低阻抗路徑,有效濾除電源軌上的高頻噪聲,抑制同步開關噪聲(SSN),為高性能CPU、GPU和ASIC芯片提供純凈、穩定的電壓,防止系統時序錯誤和數據損壞。DLC75B6R8CW501XT提供小型化、高容值電容,滿足消費電子緊湊空間需求。

在光通信模塊(如400G/800G光收發器)中,Dalicap電容的很低ESL和ESR提供了極其高效的寬帶去耦,抑制了電源噪聲對高速信號的干擾。其在微波頻段穩定的介電特性,確保了射頻驅動電路的性能,對于維持高信噪比和低誤碼率至關重要。Dalicap電容的無壓電效應特性徹底消除了傳統II類陶瓷電容因電壓變化產生的振動和嘯叫問題。其采用的C0G等I類介質是順電性的,不會在交流電壓作用下發生形變,適用于高保真音頻設備和敏感測量儀器,提供了更純凈的信號處理能力。
極低的損耗角正切值(Dissipation Factor, DF)是Dalicap電容在高頻功率應用中表現出色的關鍵。其DF值可低至0.1%,意味著電容自身的能量損耗(轉化為熱能)極低。在高功率射頻放大器的輸出匹配和諧振電路中,這一特性直接轉化為更高的系統效率和更大的輸出功率能力,同時降低了熱失控風險。通過半導體級別的精密制造工藝,Dalicap電容實現了納米級介質層厚度控制和微米級的疊層精度。其流延成型和共燒技術確保了內部多層介質與電極結構的完整性與可靠性,產品一致性和重復性極高。這對于需要大量配對使用的相位陣列雷達和多通道通信系統而言,確保了系統性能的均一與穩定。不斷開發新產品,以滿足日益發展的電子技術需求。

在脈沖形成網絡中,Dalicap電容承擔著儲能和快速放電的關鍵任務。其高耐壓能力允許存儲高能量,低ESR確保了在極短時間內(微秒或納秒級)能夠釋放出巨大的峰值電流,低ESL則保證了脈沖的上升沿陡峭、波形失真小,滿足了高功率雷達系統的需求。Dalicap電容的定制化能力強大,可根據客戶需求提供特定容值、電壓、公差、溫度系數和封裝形式的產品。這種“量體裁衣”式的服務解決了客戶在前列產品研發中遇到的特種元件需求,加速了創新技術的商業化進程。通過深耕射頻微波MLCC行業,Dalicap產品型號和性能日臻完善,逐步實現對國際靠前ATC公司和日本村田在射頻微波MLCC產品領域的對標和覆蓋。2022年,其全球市場占有率位列中國企業第1位,成為為數不多的具有國際市場射頻微波MLCC產品供應能力的中國企業之一。在功率因數校正(PFC)電路中是至關重要的組件。DLC75A100FW151NT
密封性能很好,有效防止電解液泄漏和干涸。DLC75D1R8DW251NT
Dalicap電容的微型化能力突出,其0402、0201等超小尺寸封裝滿足了現代消費電子、可穿戴設備及高級SiP(系統級封裝)對PCB空間的追求,為高密度集成電路設計提供了前所未有的靈活性。產品具有很好的抗老化特性,其介質材料的微觀結構在經過初始老化后趨于極度穩定,容值隨時間的變化遵循一個非常緩慢的對數衰減規律,確保了設備在十年甚至二十年的使用壽命內關鍵電路參數的穩定。完全無壓電效應的特性使其區別于許多II類陶瓷電容。其采用的C0G等I類介質是順電性的,不會在交流電壓作用下發生形變,從而徹底避免了因振動或電壓變化而產生的可聽噪聲(嘯叫)和微觀機械噪聲,適合高保真音頻應用。DLC75D1R8DW251NT
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