電流放大系數(shù) β 并非在所有頻率下都恒定，而是隨信號(hào)頻率升高而下降，這一特性用特征頻率 fT 描述，fT 是指 β 下降至 1 時(shí)的頻率，是衡量三極管高頻放大能力的關(guān)鍵參數(shù)。小功率 NPN 管的 fT 差異較大，低頻管（如 9014）fT 約 150MHz，高頻管（如 S9018）fT 可達(dá) 1GHz 以上。在實(shí)際應(yīng)用中，需確保工作頻率遠(yuǎn)低于 fT（通常為 fT 的 1/5~1/10），才能保證穩(wěn)定的放大效果。例如在 FM 收音機(jī)中頻放大電路（工作頻率 10.7MHz）中，選擇 fT≥100MHz 的三極管（如 2SC1815，fT=110MHz），可避免因 β 下降導(dǎo)致的放大倍數(shù)不足。汽車電...

反向擊穿電壓是衡量 NPN 型小功率晶體三極管耐壓能力的重要參數(shù)，主要包括集電極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) CBO）、集電極 - 發(fā)射極反向擊穿電壓（V (BR) CEO）和發(fā)射極 - 基極反向擊穿電壓（V (BR) EBO）。V (BR) CBO 是指發(fā)射極開路時(shí)，集電極與基極之間所能承受的 反向電壓，若超過此電壓，集電結(jié)會(huì)發(fā)生反向擊穿，導(dǎo)致反向電流急劇增大；V (BR) CEO 是指基極開路時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的反向電壓，其數(shù)值通常小于 V (BR) CBO，因?yàn)榛鶚O開路時(shí)，集電結(jié)的反向擊穿會(huì)通過基區(qū)影響發(fā)射結(jié)，使得 V (BR) CEO 降低；V (BR) EBO 是指集電...

要讓 NPN 型小功率三極管實(shí)現(xiàn)放大或開關(guān)功能，需滿足特定偏置：發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置。發(fā)射結(jié)正向偏置指基極電壓（VB）高于發(fā)射極電壓（VE），硅管正向壓降約 0.6-0.7V，此時(shí)發(fā)射區(qū)自由電子在電場(chǎng)作用下越過發(fā)射結(jié)進(jìn)入基區(qū)；集電結(jié)反向偏置指集電極電壓（VC）高于基極電壓（VB），反向電場(chǎng)阻止基區(qū)空穴向集電區(qū)移動(dòng)，同時(shí) “牽引” 基區(qū)未復(fù)合的自由電子進(jìn)入集電區(qū)。若偏置條件不滿足，如發(fā)射結(jié)反偏，三極管會(huì)進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)；若集電結(jié)正偏，則可能進(jìn)入飽和狀態(tài)，無法實(shí)現(xiàn)正常放大。LC 振蕩電路頻率穩(wěn)定性靠 LC 回路 Q 值，Q 值高則穩(wěn)定性好。河南小功率NPN型晶體三極管音頻放大電路應(yīng)用批發(fā)共集...

共射放大電路的失真，有截止失真和飽和失真：截止失真是因靜態(tài)工作點(diǎn)過低，輸入信號(hào)負(fù)半周使三極管進(jìn)入截止區(qū)，輸出信號(hào)正半周被削波，解決方法是減小 RB（增大 IBQ）或提高 VCC；飽和失真是因靜態(tài)工作點(diǎn)過高，輸入信號(hào)正半周使三極管進(jìn)入飽和區(qū)，輸出信號(hào)負(fù)半周被削波，解決方法是增大 RB（減小 IBQ）、減小 RC 或降低 VCC。例如當(dāng)輸入正弦信號(hào)時(shí)，若示波器顯示輸出波形頂部被削，為截止失真，可將 RB 從 100kΩ 調(diào)至 80kΩ，增大 IBQ；若底部被削，為飽和失真，可將 RC 從 2kΩ 調(diào)至 3kΩ，降低 ICQ。多級(jí)放大電路級(jí)間耦合有阻容、直接、變壓器三種方式。湖南醫(yī)療級(jí)NPN型晶體三...

NPN 型小功率晶體三極管的參數(shù)對(duì)溫度變化非常敏感，溫度的變化會(huì)影響其性能。首先，溫度升高時(shí)，基極 - 發(fā)射極電壓 VBE 會(huì)減小，通常溫度每升高 1℃，VBE 約減小 2-2.5mV，這會(huì)導(dǎo)致基極電流 IB 增大，進(jìn)而使集電極電流 IC 增大，可能導(dǎo)致電路靜態(tài)工作點(diǎn)漂移；其次，溫度升高會(huì)使電流放大系數(shù) β 增大，一般溫度每升高 10℃，β 值約增大 10%-20%，β 值的增大同樣會(huì)使 IC 增大，加劇工作點(diǎn)的不穩(wěn)定；另外，溫度升高還會(huì)使集電極反向飽和電流 ICBO 增大，ICBO 是指發(fā)射極開路時(shí)，集電極與基極之間的反向電流，由于 ICBO 具有正溫度系數(shù)，溫度每升高 10℃，ICBO 約...

NPN 型小功率三極管存在三個(gè)極間電容：發(fā)射結(jié)電容 Cbe、集電結(jié)電容 Cbc 和集電極 - 發(fā)射極電容 Cce，這些電容會(huì)影響三極管的高頻性能。Cbe 主要由發(fā)射結(jié)的勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容組成，通常在幾十到幾百 pF；Cbc 數(shù)值較小（幾到幾十 pF），但因跨接在輸入與輸出端，會(huì)形成密勒效應(yīng)，大幅降低電路的上限截止頻率；Cce 一般在幾 pF，對(duì)高頻影響相對(duì)較小。例如在 10MHz 以上的高頻電路中，若三極管 Cbc=10pF，密勒效應(yīng)會(huì)使等效輸入電容增至數(shù)百 pF，導(dǎo)致信號(hào)嚴(yán)重衰減，因此高頻應(yīng)用需選擇 Cbc 小的型號(hào)，如 S9018（Cbc≈2pF）。9013 三極管 TO-92 封裝時(shí)，P...

選型需結(jié)合電路需求綜合判斷：一是確定參數(shù)匹配，ICM≥電路*大 IC 的 1.2 倍，PCM≥電路*大 PC 的 1.2 倍，V (BR) CEO≥電路*大電壓的 1.2 倍，β 根據(jù)放大需求選擇（放大電路選 β=50-100，開關(guān)電路選 β=20-50）；二是考慮封裝形式，直插電路選 TO-92，貼片電路選 SOT-23；三是關(guān)注溫度適應(yīng)性，高溫環(huán)境（如工業(yè)控制）選耐高溫型號(hào)（結(jié)溫≥175℃），低溫環(huán)境（如戶外設(shè)備）選耐低溫型號(hào)（工作溫度≤-40℃）；四是優(yōu)先選常用型號(hào)，性價(jià)比高且易采購(gòu)，特殊需求（如高頻）選型號(hào)（如 S9018）。Cbc 易形成密勒效應(yīng)，大幅降低電路上限截止頻率，高頻應(yīng)用需...

貼片封裝（如 SOT-23、SOT-323）與直插封裝（TO-92）的 重要參數(shù)（ICM、PCM、β）相近，但散熱性能和安裝密度不同：直插封裝引腳長(zhǎng)，散熱路徑長(zhǎng)，PCM 通常略低（如 TO-92 封裝的 9013，PCM=625mW）；貼片封裝緊貼 PCB，可通過 PCB 銅箔散熱，PCM 可提升 10%~20%（如 SOT-23 封裝的 MMBT9013，PCM=700mW），且安裝密度高，適合小型化設(shè)備（如手機(jī)、智能手環(huán)）。直插封裝則適合手工焊接和高溫環(huán)境（引腳散熱好），如工業(yè)控制設(shè)備中的繼電器驅(qū)動(dòng)電路，便于維修更換。PWM 調(diào)光電路中，三極管占空比通常設(shè) 10%-90%，避免閃爍和過熱。...

繼電器線圈是感性負(fù)載，斷電時(shí)會(huì)產(chǎn)生反向電動(dòng)勢(shì)，可能擊穿三極管。需在繼電器線圈兩端并聯(lián)續(xù)流二極管（如 1N4001），二極管正極接線圈負(fù)極，負(fù)極接線圈正極，當(dāng)線圈斷電時(shí)，反向電動(dòng)勢(shì)通過二極管形成回路，保護(hù)三極管。此外，若繼電器工作電流接近 ICM，需在基極增加限流電阻，避免 IB 過大導(dǎo)致三極管燒毀。例如 5V 繼電器線圈電阻 50Ω（工作電流 100mA），用 9013 管（ICM=500mA）驅(qū)動(dòng)，除并聯(lián)續(xù)流二極管外，基極電阻 RB=(5-0.7)/1mA=4.3kΩ，確保 IB=1mA（β=100 時(shí)，IC=100mA），既滿足驅(qū)動(dòng)需求，又避免過載。LC 振蕩電路頻率穩(wěn)定性靠 LC 回路 ...

RC 橋式振蕩電路起振需滿足 AF≥1（A 為放大倍數(shù)，F(xiàn) 為反饋系數(shù)），F(xiàn)=1/3（RC 串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)），因此 A≥3。調(diào)試時(shí)，若電路無振蕩輸出，首先檢查放大電路是否工作在放大區(qū)，用萬用表測(cè) VCE，若 VCE≈VCC（截止）或 VCE≈0.3V（飽和），需調(diào)整偏置電阻使 VCE≈VCC/2；其次增大放大倍數(shù)，如更換 β 更大的三極管或增加放大級(jí)數(shù)；檢查 RC 網(wǎng)絡(luò)連接是否正確，確保正反饋相位無誤。例如用 9014 管組成 RC 振蕩電路，若 VCE=11V（VCC=12V），說明三極管截止，需減小 RB1（從 10kΩ 調(diào)至 8kΩ），使 VCE 降至 6V，滿足起振條件。直接耦合無電容，適...

三極管的開關(guān)速度由導(dǎo)通時(shí)間（ton）和關(guān)斷時(shí)間（toff）決定，ton 是從 IB 加入到 IC 達(dá)到 90% IC (sat) 的時(shí)間，toff 是從 IB 撤銷到 IC 降至 10% IC (sat) 的時(shí)間，小功率 NPN 管的 ton 和 toff 通常在幾十到幾百 ns。開關(guān)速度影響電路的工作頻率，例如在 500kHz 的脈沖電路中，需選擇 ton+toff≤1μs 的三極管（如 MMBT3904，ton=25ns，toff=60ns），否則會(huì)出現(xiàn) “開關(guān)不完全”，導(dǎo)致 IC 波形拖尾，功耗增大。為加快開關(guān)速度，可在基極回路并聯(lián)加速電容，縮短載流子存儲(chǔ)時(shí)間。射極輸出器的輸出電阻低（通...

LC 振蕩電路的頻率穩(wěn)定性由 LC 諧振回路的 Q 值決定，Q 值越高，頻率穩(wěn)定性越好。小功率 NPN 管的極間電容（尤其是 Cbc）會(huì)影響 LC 回路的等效電容，導(dǎo)致頻率漂移，解決方法是選擇 Cbc 小的高頻三極管（如 2SC3355），并在三極管與 LC 回路間加入隔離電路（如共基電路），減少極間電容對(duì)回路的影響。此外，采用溫度系數(shù)小的電容（如云母電容）和電感（如密封電感），可進(jìn)一步降低溫度變化對(duì)頻率的影響。例如在 27MHz 的無線話筒振蕩電路中，用 Cbc=1.5pF 的 2SC3355 管，配合云母電容（溫度系數(shù) ±50ppm/℃），頻率漂移可控制在 ±1kHz 以內(nèi)。貼片封裝 SO...

NPN 型小功率晶體三極管的輸出特性曲線是以基極電流（IB）為參變量，描述集電極電流（IC）與集電極 - 發(fā)射極電壓（VCE）之間關(guān)系的一族曲線。輸出特性曲線通常分為三個(gè)區(qū)域：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。截止區(qū)是指 IB=0 時(shí)的區(qū)域，此時(shí) IC 很小，近似為零，三極管相當(dāng)于開路，一般當(dāng) VBE 小于死區(qū)電壓時(shí)，三極管工作在截止區(qū)；放大區(qū)的特點(diǎn)是 IC 基本不隨 VCE 的變化而變化，與 IB 成正比，即 IC=βIB，此時(shí)三極管具有穩(wěn)定的電流放大能力，是放大電路中三極管的主要工作區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)，發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置；飽和區(qū)是指當(dāng) VCE 較小時(shí)，IC 不再隨 IB 的增大而線性增大，...

繼電器線圈是感性負(fù)載，斷電時(shí)會(huì)產(chǎn)生反向電動(dòng)勢(shì)，可能擊穿三極管。需在繼電器線圈兩端并聯(lián)續(xù)流二極管（如 1N4001），二極管正極接線圈負(fù)極，負(fù)極接線圈正極，當(dāng)線圈斷電時(shí)，反向電動(dòng)勢(shì)通過二極管形成回路，保護(hù)三極管。此外，若繼電器工作電流接近 ICM，需在基極增加限流電阻，避免 IB 過大導(dǎo)致三極管燒毀。例如 5V 繼電器線圈電阻 50Ω（工作電流 100mA），用 9013 管（ICM=500mA）驅(qū)動(dòng)，除并聯(lián)續(xù)流二極管外，基極電阻 RB=(5-0.7)/1mA=4.3kΩ，確保 IB=1mA（β=100 時(shí)，IC=100mA），既滿足驅(qū)動(dòng)需求，又避免過載。貼片封裝 SOT-23 比直插 TO-9...

在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中，選擇合適的 NPN 型小功率晶體三極管需要綜合考慮多方面因素，確保所選三極管能夠滿足電路的性能要求。首先，根據(jù)電路的工作電流確定集電極最大允許電流 ICM，必須保證電路中集電極的最大工作電流小于 ICM；其次，根據(jù)電路的工作電壓確定反向擊穿電壓，特別是集電極 - 發(fā)射極反向擊穿電壓 V (BR) CEO，要確保電路中的電源電壓和動(dòng)態(tài)電壓峰值不超過 V (BR) CEO；然后，根據(jù)電路的功耗要求確定集電極最大允許功耗 PCM，通過計(jì)算三極管的實(shí)際功耗（PC=IC×VCE），確保 PC 小于 PCM，必要時(shí)可考慮加裝散熱片；另外，根據(jù)電路的放大需求選擇合適的電流放大系數(shù) β，對(duì)于...

脈沖電路需輸出高低電平交替的脈沖信號(hào)，NPN 型小功率三極管通過快速切換截止與飽和狀態(tài)實(shí)現(xiàn)該功能。例如在矩形波發(fā)生器中，三極管與 RC 充放電電路配合：RC 充電時(shí)，VB 上升，IB 增大，三極管飽和，輸出低電平；RC 放電時(shí)，VB 下降，IB 減小，三極管截止，輸出高電平，通過調(diào)整 RC 參數(shù)控制脈沖周期（T≈1.4RC）。此外，在脈沖寬度調(diào)制（PWM）電路中，三極管根據(jù)輸入的 PWM 信號(hào)導(dǎo)通 / 截止，控制負(fù)載（如電機(jī)、LED）的平均電壓 / 電流，實(shí)現(xiàn)調(diào)速、調(diào)光功能，例如 LED 調(diào)光電路中，PWM 占空比從 10% 增至 90%，LED 亮度隨之提升。貼片封裝 SOT-23 比直插 ...

LC 振蕩電路的頻率穩(wěn)定性由 LC 諧振回路的 Q 值決定，Q 值越高，頻率穩(wěn)定性越好。小功率 NPN 管的極間電容（尤其是 Cbc）會(huì)影響 LC 回路的等效電容，導(dǎo)致頻率漂移，解決方法是選擇 Cbc 小的高頻三極管（如 2SC3355），并在三極管與 LC 回路間加入隔離電路（如共基電路），減少極間電容對(duì)回路的影響。此外，采用溫度系數(shù)小的電容（如云母電容）和電感（如密封電感），可進(jìn)一步降低溫度變化對(duì)頻率的影響。例如在 27MHz 的無線話筒振蕩電路中，用 Cbc=1.5pF 的 2SC3355 管，配合云母電容（溫度系數(shù) ±50ppm/℃），頻率漂移可控制在 ±1kHz 以內(nèi)。RC 振蕩電路...

常見故障有：一是三極管燒毀，多因 IC 超過 ICM、PC 超過 PCM 或 VCE 超過 V (BR) CEO，排查時(shí)用萬用表測(cè) CE 間電阻，若為 0Ω（短路）或無窮大（開路），說明燒毀，需更換參數(shù)匹配的三極管；二是放大能力下降，表現(xiàn)為輸出信號(hào)幅度減小，測(cè) β 值若明顯低于標(biāo)稱值，需更換三極管；三是開關(guān)失控，導(dǎo)通時(shí) CE 壓降過大（未飽和），需增大 IB（減小 RB），截止時(shí) IC 過大（漏電），需更換質(zhì)量合格的三極管；四是溫度漂移，IC 隨溫度升高而增大，需增加溫度補(bǔ)償電路（如在 RB 旁并聯(lián)負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻）。工業(yè)控制中，直插三極管驅(qū)動(dòng)繼電器，便于后期維修更換。華東地區(qū)抗輻射NPN型...

繼電器線圈是感性負(fù)載，斷電時(shí)會(huì)產(chǎn)生反向電動(dòng)勢(shì)，可能擊穿三極管。需在繼電器線圈兩端并聯(lián)續(xù)流二極管（如 1N4001），二極管正極接線圈負(fù)極，負(fù)極接線圈正極，當(dāng)線圈斷電時(shí)，反向電動(dòng)勢(shì)通過二極管形成回路，保護(hù)三極管。此外，若繼電器工作電流接近 ICM，需在基極增加限流電阻，避免 IB 過大導(dǎo)致三極管燒毀。例如 5V 繼電器線圈電阻 50Ω（工作電流 100mA），用 9013 管（ICM=500mA）驅(qū)動(dòng)，除并聯(lián)續(xù)流二極管外，基極電阻 RB=(5-0.7)/1mA=4.3kΩ，確保 IB=1mA（β=100 時(shí)，IC=100mA），既滿足驅(qū)動(dòng)需求，又避免過載。電源端并 0.1μF 陶瓷電容和 10μ...

脈沖電路需輸出高低電平交替的脈沖信號(hào)，NPN 型小功率三極管通過快速切換截止與飽和狀態(tài)實(shí)現(xiàn)該功能。例如在矩形波發(fā)生器中，三極管與 RC 充放電電路配合：RC 充電時(shí)，VB 上升，IB 增大，三極管飽和，輸出低電平；RC 放電時(shí)，VB 下降，IB 減小，三極管截止，輸出高電平，通過調(diào)整 RC 參數(shù)控制脈沖周期（T≈1.4RC）。此外，在脈沖寬度調(diào)制（PWM）電路中，三極管根據(jù)輸入的 PWM 信號(hào)導(dǎo)通 / 截止，控制負(fù)載（如電機(jī)、LED）的平均電壓 / 電流，實(shí)現(xiàn)調(diào)速、調(diào)光功能，例如 LED 調(diào)光電路中，PWM 占空比從 10% 增至 90%，LED 亮度隨之提升。變壓器耦合可阻抗匹配，適合高頻功...

NPN 型小功率三極管的 重要價(jià)值在于電流放大，其原理基于載流子的定向運(yùn)動(dòng)與分配。當(dāng)滿足導(dǎo)通偏置時(shí)，發(fā)射區(qū)大量自由電子注入基區(qū)，因基區(qū)薄且摻雜少，大部分自由電子（約 95% 以上）未與空穴復(fù)合，被集電結(jié)反向電場(chǎng)拉入集電區(qū)，形成集電極電流（IC）；少量自由電子（約 5% 以下）與基區(qū)空穴復(fù)合，需基極提供電流補(bǔ)充空穴，形成基極電流（IB）。此時(shí) IC 與 IB 成固定比例，即電流放大系數(shù) β=IC/IB（小功率管 β 通常 20-200），微小的 IB 變化會(huì)引發(fā) IC 大幅變化，例如 IB 從 10μA 增至 20μA，β=100 時(shí)，IC 會(huì)從 1mA 增至 2mA，實(shí)現(xiàn)電流放大。5V 繼電器...

NPN 型小功率晶體三極管的輸出特性曲線是以基極電流（IB）為參變量，描述集電極電流（IC）與集電極 - 發(fā)射極電壓（VCE）之間關(guān)系的一族曲線。輸出特性曲線通常分為三個(gè)區(qū)域：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。截止區(qū)是指 IB=0 時(shí)的區(qū)域，此時(shí) IC 很小，近似為零，三極管相當(dāng)于開路，一般當(dāng) VBE 小于死區(qū)電壓時(shí)，三極管工作在截止區(qū)；放大區(qū)的特點(diǎn)是 IC 基本不隨 VCE 的變化而變化，與 IB 成正比，即 IC=βIB，此時(shí)三極管具有穩(wěn)定的電流放大能力，是放大電路中三極管的主要工作區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)，發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置；飽和區(qū)是指當(dāng) VCE 較小時(shí)，IC 不再隨 IB 的增大而線性增大，...

NPN 型小功率晶體三極管是電子電路中常用的半導(dǎo)體器件，其 重要結(jié)構(gòu)由三層半導(dǎo)體材料構(gòu)成，分別為發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。發(fā)射區(qū)采用高摻雜的 N 型半導(dǎo)體，目的是提高載流子（自由電子）的濃度，便于后續(xù)載流子的發(fā)射；基區(qū)為 P 型半導(dǎo)體，其摻雜濃度低，而且物理厚度極薄，通常有幾微米到幾十微米，這種設(shè)計(jì)能讓發(fā)射區(qū)注入的載流子快速穿過基區(qū)，減少在基區(qū)的復(fù)合損耗；集電區(qū)同樣是 N 型半導(dǎo)體，面積比發(fā)射區(qū)大得多，主要作用是高效收集從基區(qū)過來的載流子。三個(gè)區(qū)域分別引出三個(gè)電極，對(duì)應(yīng)發(fā)射極（E）、基極（B）和集電極（C），電極的引出方式和位置會(huì)根據(jù)三極管的封裝形式有所差異，常見的封裝有 TO-92、SOT-23...

共基放大電路以基極作為公共電極，輸入信號(hào)加在發(fā)射極和基極之間，輸出信號(hào)從集電極和基極之間取出，NPN 型小功率三極管在該電路中工作在放大區(qū)。共基放大電路的突出特點(diǎn)是頻率響應(yīng)好，上限截止頻率高，這是因?yàn)榛鶚O交流接地，基極電容的影響較小，減少了載流子在基區(qū)的渡越時(shí)間對(duì)高頻信號(hào)的影響，因此常用于高頻放大電路中，如射頻信號(hào)放大、高頻振蕩電路等。與共射放大電路相比，共基放大電路的電壓放大倍數(shù)較高，但電流放大倍數(shù)小于 1，即沒有電流放大能力，能實(shí)現(xiàn)電壓放大，且輸出信號(hào)與輸入信號(hào)同相位。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，共基放大電路常與共射放大電路組合使用，構(gòu)成共射 - 共基組合放大電路，既能獲得較高的電壓放大倍數(shù)，又能擁有良...

PN 型小功率晶體三極管的輸入特性曲線直接影響電路靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置。該曲線以集電極 - 發(fā)射極電壓 VCE 為固定參量（通常需滿足 VCE≥1V，消除 VCE 對(duì)曲線的影響），描述基極電流 IB 與基極 - 發(fā)射極電壓 VBE 之間的關(guān)系，其形態(tài)與二極管正向伏安特性高度相似，存在明顯的 “死區(qū)” 與 “導(dǎo)通區(qū)” 劃分。對(duì)于硅材料三極管，當(dāng) VBE＜0.5V 時(shí)，發(fā)射結(jié)未充分導(dǎo)通，IB 近似為 0，三極管處于截止?fàn)顟B(tài)，此為死區(qū)；當(dāng) VBE 突破 0.5V 死區(qū)電壓后，IB 隨 VBE 的增大呈指數(shù)級(jí)快速上升，且在正常工作范圍內(nèi)，VBE 會(huì)穩(wěn)定在 0.6-0.7V 的狹窄區(qū)間，這一特性成為電路設(shè)計(jì)...

NPN 型小功率晶體三極管在開關(guān)電路中主要工作在截止區(qū)和飽和區(qū)，通過控制基極電流來實(shí)現(xiàn)電路的導(dǎo)通與關(guān)斷。當(dāng)基極沒有輸入信號(hào)或輸入信號(hào)較小時(shí)，基極電流 IB=0（或很?。?，此時(shí)三極管工作在截止區(qū)，集電極電流 IC≈0，集電極與發(fā)射極之間的電壓近似等于電源電壓，三極管相當(dāng)于一個(gè)斷開的開關(guān)，電路處于截止?fàn)顟B(tài)；當(dāng)基極輸入足夠大的信號(hào)時(shí)，基極電流 IB 增大，使得集電極電流 IC 達(dá)到飽和值 ICS，此時(shí)三極管工作在飽和區(qū)，集電極與發(fā)射極之間的飽和壓降 VCE (sat) 很?。ㄍǔ?0.1-0.3V），三極管相當(dāng)于一個(gè)閉合的開關(guān)，電路處于導(dǎo)通狀態(tài)。三極管開關(guān)電路具有開關(guān)速度快、無機(jī)械磨損、壽命長(zhǎng)等優(yōu)...

共射放大電路的失真，有截止失真和飽和失真：截止失真是因靜態(tài)工作點(diǎn)過低，輸入信號(hào)負(fù)半周使三極管進(jìn)入截止區(qū)，輸出信號(hào)正半周被削波，解決方法是減小 RB（增大 IBQ）或提高 VCC；飽和失真是因靜態(tài)工作點(diǎn)過高，輸入信號(hào)正半周使三極管進(jìn)入飽和區(qū)，輸出信號(hào)負(fù)半周被削波，解決方法是增大 RB（減小 IBQ）、減小 RC 或降低 VCC。例如當(dāng)輸入正弦信號(hào)時(shí)，若示波器顯示輸出波形頂部被削，為截止失真，可將 RB 從 100kΩ 調(diào)至 80kΩ，增大 IBQ；若底部被削，為飽和失真，可將 RC 從 2kΩ 調(diào)至 3kΩ，降低 ICQ。共射電路有截止失真，因靜態(tài)工作點(diǎn)低，可減小 RB 或提高 VCC 避免。華...

LC 振蕩電路的頻率穩(wěn)定性由 LC 諧振回路的 Q 值決定，Q 值越高，頻率穩(wěn)定性越好。小功率 NPN 管的極間電容（尤其是 Cbc）會(huì)影響 LC 回路的等效電容，導(dǎo)致頻率漂移，解決方法是選擇 Cbc 小的高頻三極管（如 2SC3355），并在三極管與 LC 回路間加入隔離電路（如共基電路），減少極間電容對(duì)回路的影響。此外，采用溫度系數(shù)小的電容（如云母電容）和電感（如密封電感），可進(jìn)一步降低溫度變化對(duì)頻率的影響。例如在 27MHz 的無線話筒振蕩電路中，用 Cbc=1.5pF 的 2SC3355 管，配合云母電容（溫度系數(shù) ±50ppm/℃），頻率漂移可控制在 ±1kHz 以內(nèi)。它有三個(gè)極間電...

用萬用表檢測(cè)三極管好壞：第一步測(cè) PN 結(jié)正向?qū)ㄐ?，紅表筆接 B，黑表筆接 E、C，均應(yīng)顯示 0.6-0.7V（硅管），若顯示 “OL” 或壓降異常，說明發(fā)射結(jié) / 集電結(jié)損壞；第二步測(cè)反向截止性，黑表筆接 B，紅表筆接 E、C，均應(yīng)顯示 “OL”，若有導(dǎo)通壓降，說明 PN 結(jié)反向漏電；第三步估測(cè) β，將萬用表調(diào)至 “hFE 檔”，根據(jù)三極管類型（NPN）插入對(duì)應(yīng)插槽，顯示 β 值，若 β

NPN 型小功率晶體三極管在開關(guān)電路中主要工作在截止區(qū)和飽和區(qū)，通過控制基極電流來實(shí)現(xiàn)電路的導(dǎo)通與關(guān)斷。當(dāng)基極沒有輸入信號(hào)或輸入信號(hào)較小時(shí)，基極電流 IB=0（或很?。?，此時(shí)三極管工作在截止區(qū)，集電極電流 IC≈0，集電極與發(fā)射極之間的電壓近似等于電源電壓，三極管相當(dāng)于一個(gè)斷開的開關(guān)，電路處于截止?fàn)顟B(tài)；當(dāng)基極輸入足夠大的信號(hào)時(shí)，基極電流 IB 增大，使得集電極電流 IC 達(dá)到飽和值 ICS，此時(shí)三極管工作在飽和區(qū)，集電極與發(fā)射極之間的飽和壓降 VCE (sat) 很小（通常為 0.1-0.3V），三極管相當(dāng)于一個(gè)閉合的開關(guān)，電路處于導(dǎo)通狀態(tài)。三極管開關(guān)電路具有開關(guān)速度快、無機(jī)械磨損、壽命長(zhǎng)等優(yōu)...