1.電視機(jī)用集成電路包括行、場(chǎng)掃描集成電路、中放集成電路、伴音集成電路、彩色解碼集成電路、AV/TV轉(zhuǎn)換集成電路、開關(guān)電源集成電路、遙控集成電路、麗音解碼集成電路、畫中畫處理集成電路、微處理器（CPU）集成電路、存儲(chǔ)器集成電路等。2.音響用集成電路包括AM/FM高中頻電路、立體聲解碼電路、音頻前置放大電路、音頻運(yùn)算放大集成電路、音頻功率放大集成電路、環(huán)繞聲處理集成電路、電平驅(qū)動(dòng)集成電路，電子音量控制集成電路、延時(shí)混響集成電路、電子開關(guān)集成電路等。集成電路按應(yīng)用領(lǐng)域可分為標(biāo)準(zhǔn)通用集成電路和集成電路。無錫好的集成電路市價(jià)MCM－D是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或氮化鋁）或Si、Al作為基...

當(dāng)沒有特別表示出材料時(shí)，多數(shù)情況為塑料QFP。塑料QFP是**普及的多引腳LSI封裝。不僅用于微處理器，門陳列等數(shù)字邏輯LSI電路，而且也用于VTR信號(hào)處理、音響信號(hào)處理等模擬LSI電路。引腳中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多種規(guī)格。0.65mm中心距規(guī)格中**多引腳數(shù)為304。日本將引腳中心距小于0.65mm的QFP稱為QFP（FP）。但2000年后日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)對(duì)QFP的外形規(guī)格進(jìn)行了重新評(píng)價(jià)。在引腳中心距上不加區(qū)別，而是根據(jù)封裝本體厚度分為QFP（2.0mm～3.6mm厚）、LQFP（1.4mm厚）和TQFP（1.0mm厚）三種。DI...

集成電路已經(jīng)在各行各業(yè)中發(fā)揮著非常重要的作用，是現(xiàn)代信息社會(huì)的基石。集成電路的含義，已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了其剛誕生時(shí)的定義范圍，但其****的部分，仍然沒有改變，那就是“集成”，其所衍生出來的各種學(xué)科，大都是圍繞著“集成什么”、“如何集成”、“如何處理集成帶來的利弊”這三個(gè)問題來開展的。硅集成電路是主流，就是把實(shí)現(xiàn)某種功能的電路所需的各種元件都放在一塊硅片上，所形成的整體被稱作集成電路。對(duì)于“集成”，想象一下住過的房子可能比較容易理解：很多人小時(shí)候都住過農(nóng)村的房子，那時(shí)房屋的主體也許就是三兩間平房，發(fā)揮著臥室的功能，門口的小院子擺上一副桌椅，就充當(dāng)客廳，旁邊還有個(gè)炊煙裊裊的小矮屋，那是廚房，而具有獨(dú)特...

集成電路的產(chǎn)生，任何發(fā)明創(chuàng)造背后都是有驅(qū)動(dòng)力的，而驅(qū)動(dòng)力往往來源于問題。那么集成電路產(chǎn)生之前的問題是，看一下1946年在美國(guó)誕生的世界上***臺(tái)電子計(jì)算機(jī)，它是一個(gè)占地150平方米、重達(dá)30噸的龐然大物，里面的電路使用了17468只電子管、7200只電阻、10000只電容、50萬(wàn)條線，耗電量150千瓦 [1]。顯然，占用面積大、無法移動(dòng)是它**直觀和突出的問題；如果能把這些電子元件和連線集成在一小塊載體上該有多好，相信，有很多人思考過這個(gè)問題，也提出過各種想法。典型的如英國(guó)雷達(dá)研究所的科學(xué)家達(dá)默，他在1952年的一次會(huì)議上提出：可以把電子線路中的分立元器件，集中制作在一塊半導(dǎo)體晶片上，一小塊晶...

6、COB（chip on board）板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB是**簡(jiǎn)單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB和倒片焊技術(shù)。7、DFP（dual flat package）雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP的別稱（見SOP）。以前曾有此稱法，80年代后期已基本上不用。8、DIC（dual in-line ceramic package）陶瓷DIP（含玻璃密封）的別稱（見DIP）2025年將持續(xù)推進(jìn)集成電路領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)研制。新吳區(qū)名優(yōu)集成電...

這就是初期集成電路的構(gòu)想，晶體管的發(fā)明使這種想法成為了可能，1947年在美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室制造出來了***個(gè)晶體管，而在此之前要實(shí)現(xiàn)電流放大功能只能依靠體積大、耗電量大、結(jié)構(gòu)脆弱的電子管。晶體管具有電子管的主要功能，并且克服了電子管的上述缺點(diǎn)，因此在晶體管發(fā)明后，很快就出現(xiàn)了基于半導(dǎo)體的集成電路的構(gòu)想，也就很快發(fā)明出來了集成電路。杰克·基爾比（Jack Kilby）和羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）在1958~1959期間分別發(fā)明了鍺集成電路和硅集成電路。集成電路的產(chǎn)生，任何發(fā)明創(chuàng)造背后都是有驅(qū)動(dòng)力的，而驅(qū)動(dòng)力往往來源于問題。宜興好的集成電路服務(wù)熱線集成電路具有體積小，重量輕，引出線和焊...

19、H-（with heat sink）表示帶散熱器的標(biāo)記。例如，HSOP表示帶散熱器的SOP。20、pin grid array（surface mount type）集成電路表面貼裝型PGA。通常PGA為插裝型封裝，引腳長(zhǎng)約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳，其長(zhǎng)度從1.5mm到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而也稱為碰焊PGA。因?yàn)橐_中心距只有1.27mm，比插裝型PGA小一半，所以封裝本體可制作得不怎么大，而引腳數(shù)比插裝型多（250～528），是大規(guī)模邏輯LSI用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實(shí)用化...

外，由于引線的阻抗小，對(duì)于高速LSI是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜，成本高，90年代基本上不怎么使用。預(yù)計(jì)今后對(duì)其需求會(huì)有所增加。24、LOC（lead on chip）芯片上引線封裝。LSI封裝技術(shù)之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片的中心附近制作有凸焊點(diǎn)，用引線縫合進(jìn)行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側(cè)面附近的結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá)1mm左右寬度。25、LQFP（low profile quad flat package）薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP，是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)根據(jù)制定的新QFP外形規(guī)格所用的名稱。集成電路發(fā)明者為杰克·基爾比（...

當(dāng)沒有特別表示出材料時(shí)，多數(shù)情況為塑料QFP。塑料QFP是**普及的多引腳LSI封裝。不僅用于微處理器，門陳列等數(shù)字邏輯LSI電路，而且也用于VTR信號(hào)處理、音響信號(hào)處理等模擬LSI電路。引腳中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm等多種規(guī)格。0.65mm中心距規(guī)格中**多引腳數(shù)為304。日本將引腳中心距小于0.65mm的QFP稱為QFP（FP）。但2000年后日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)對(duì)QFP的外形規(guī)格進(jìn)行了重新評(píng)價(jià)。在引腳中心距上不加區(qū)別，而是根據(jù)封裝本體厚度分為QFP（2.0mm～3.6mm厚）、LQFP（1.4mm厚）和TQFP（1.0mm厚）三種。焊接...

42、QFJ（quad flat J-leaded package）四側(cè)J形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個(gè)側(cè)面引出，向下呈J字形。是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱。引腳中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ多數(shù)情況稱為PLCC（見PLCC），用于微機(jī)、門陳列、DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數(shù)從18至84。陶瓷QFJ也稱為CLCC、JLCC（見CLCC）。帶窗口的封裝用于紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機(jī)芯片電路。引腳數(shù)從32至84。43、QFN（quad flat non-leaded package）集成電路四側(cè)無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝...

39、P－LCC（plastic teadless chip carrier）（plastic leaded chip currier）有時(shí)候是塑料QFJ的別稱，有時(shí)候是QFN（塑料LCC）的別稱（見QFJ和QFN）。部分LSI廠家用PLCC表示帶引線封裝，用P－LCC表示無引線封裝，以示區(qū)別。40、QFH（quad flat high package）四側(cè)引腳厚體扁平封裝。塑料QFP的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP本體制作得較厚（見QFP）。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。41、QFI（quad flat I-leaded packgac）四側(cè)I形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四...

6、COB（chip on board）板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB是**簡(jiǎn)單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB和倒片焊技術(shù)。7、DFP（dual flat package）雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP的別稱（見SOP）。以前曾有此稱法，80年代后期已基本上不用。8、DIC（dual in-line ceramic package）陶瓷DIP（含玻璃密封）的別稱（見DIP）按照J(rèn)EDEC（美國(guó)聯(lián)合電子設(shè)備委員會(huì)）標(biāo)準(zhǔn)對(duì)QFP進(jìn)行的...

這就是初期集成電路的構(gòu)想，晶體管的發(fā)明使這種想法成為了可能，1947年在美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室制造出來了***個(gè)晶體管，而在此之前要實(shí)現(xiàn)電流放大功能只能依靠體積大、耗電量大、結(jié)構(gòu)脆弱的電子管。晶體管具有電子管的主要功能，并且克服了電子管的上述缺點(diǎn)，因此在晶體管發(fā)明后，很快就出現(xiàn)了基于半導(dǎo)體的集成電路的構(gòu)想，也就很快發(fā)明出來了集成電路。杰克·基爾比（Jack Kilby）和羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）在1958~1959期間分別發(fā)明了鍺集成電路和硅集成電路。表示帶散熱器的標(biāo)記。例如，HSOP表示帶散熱器的SOP。江蘇標(biāo)準(zhǔn)集成電路圖片集成電路的產(chǎn)生，任何發(fā)明創(chuàng)造背后都是有驅(qū)動(dòng)力的，而驅(qū)動(dòng)力往...

1990年-2000年：以908工程、909工程為重點(diǎn)，以CAD為突破口，抓好科技攻關(guān)和北方科研開發(fā)基地的建設(shè)，為信息產(chǎn)業(yè)服務(wù)，集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展。集成電路產(chǎn)業(yè)是對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)市場(chǎng)銷售額的總體描述，它不僅*包含集成電路市場(chǎng)，也包括IP核市場(chǎng)、EDA市場(chǎng)、芯片代工市場(chǎng)、封測(cè)市場(chǎng)，甚至延伸至設(shè)備、材料市場(chǎng)。集成電路產(chǎn)業(yè)不再依賴CPU、存儲(chǔ)器等單一器件發(fā)展，移動(dòng)互聯(lián)、三網(wǎng)融合、多屏互動(dòng)、智能終端帶來了多重市場(chǎng)空間，商業(yè)模式不斷創(chuàng)新為市場(chǎng)注入新活力。目前中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)已具備一定基礎(chǔ)，多年來中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)所聚集的技術(shù)創(chuàng)新活力、市場(chǎng)拓展能力、資源整合動(dòng)力以及廣闊的市場(chǎng)潛力，為產(chǎn)業(yè)在未來...

集成電路的產(chǎn)生，任何發(fā)明創(chuàng)造背后都是有驅(qū)動(dòng)力的，而驅(qū)動(dòng)力往往來源于問題。那么集成電路產(chǎn)生之前的問題是，看一下1946年在美國(guó)誕生的世界上***臺(tái)電子計(jì)算機(jī)，它是一個(gè)占地150平方米、重達(dá)30噸的龐然大物，里面的電路使用了17468只電子管、7200只電阻、10000只電容、50萬(wàn)條線，耗電量150千瓦 [1]。顯然，占用面積大、無法移動(dòng)是它**直觀和突出的問題；如果能把這些電子元件和連線集成在一小塊載體上該有多好，相信，有很多人思考過這個(gè)問題，也提出過各種想法。典型的如英國(guó)雷達(dá)研究所的科學(xué)家達(dá)默，他在1952年的一次會(huì)議上提出：可以把電子線路中的分立元器件，集中制作在一塊半導(dǎo)體晶片上，一小塊晶...

26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8倍，具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI開發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現(xiàn)已開發(fā)出了208引腳（0.5mm中心距）和160引腳（0.65mm中心距）的LSI邏輯用封裝，并于1993年10月開始投入批量生產(chǎn)。27、MCM（multi-chip module）多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大類。MCM－L是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本...

集成電路的產(chǎn)生，任何發(fā)明創(chuàng)造背后都是有驅(qū)動(dòng)力的，而驅(qū)動(dòng)力往往來源于問題。那么集成電路產(chǎn)生之前的問題是，看一下1946年在美國(guó)誕生的世界上***臺(tái)電子計(jì)算機(jī)，它是一個(gè)占地150平方米、重達(dá)30噸的龐然大物，里面的電路使用了17468只電子管、7200只電阻、10000只電容、50萬(wàn)條線，耗電量150千瓦 [1]。顯然，占用面積大、無法移動(dòng)是它**直觀和突出的問題；如果能把這些電子元件和連線集成在一小塊載體上該有多好，相信，有很多人思考過這個(gè)問題，也提出過各種想法。典型的如英國(guó)雷達(dá)研究所的科學(xué)家達(dá)默，他在1952年的一次會(huì)議上提出：可以把電子線路中的分立元器件，集中制作在一塊半導(dǎo)體晶片上，一小塊晶...

集成電路，英文為Integrated Circuit，縮寫為IC；顧名思義，就是把一定數(shù)量的常用電子元件，如電阻、電容、晶體管等，以及這些元件之間的連線，通過半導(dǎo)體工藝集成在一起的具有特定功能的電路。是20世紀(jì)50年代后期到60年代發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體器件。它是經(jīng)過氧化、光刻、擴(kuò)散、外延、蒸鋁等半導(dǎo)體制造工藝，把構(gòu)成具有一定功能的電路所需的半導(dǎo)體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導(dǎo)線全部集成在一小塊硅片上，然后焊接封裝在一個(gè)管殼內(nèi)的電子器件。其封裝外殼有圓殼式、扁平式或雙列直插式等多種形式。集成電路技術(shù)包括芯片制造技術(shù)與設(shè)計(jì)技術(shù)，主要體現(xiàn)加工設(shè)備，加工工藝，封裝測(cè)試，批量生產(chǎn)及設(shè)計(jì)創(chuàng)新的能...

13、DIP（dual tape carrier package）同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)DTCP 的命名（見DTCP）。14、FP（flat package）扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP（見QFP和SOP）的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。15、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點(diǎn)，然后把金屬凸點(diǎn)與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有封裝技術(shù)中體積**小、**薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI芯片不同，就會(huì)在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI芯片，并使...

56、SIP（single in-line package）單列直插式封裝。引腳從封裝一個(gè)側(cè)面引出，排列成一條直線。當(dāng)裝配到印刷基板上時(shí)封裝呈側(cè)立狀。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從2至23，多數(shù)為定制產(chǎn)品。封裝的形狀各異。也有的把形狀與ZIP相同的封裝稱為SIP。57、SK－DIP（skinny dual in-line package）DIP的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm的窄體DIP。通常統(tǒng)稱為DIP（見DIP）。58、SL－DIP（slim dual in-line package）DIP的一種。指寬度為10.16mm，引腳中心距為2.54mm的窄體DIP。...

使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層。然后使用微影、擴(kuò)散、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件，然后利用微影、薄膜、和CMP技術(shù)制成導(dǎo)線，如此便完成芯片制作。因產(chǎn)品性能需求及成本考量，導(dǎo)線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成，每層由圖像技術(shù)定義，通常用不同的顏色表示。一些層標(biāo)明在哪里不同的摻雜劑擴(kuò)散進(jìn)基層（成為擴(kuò)散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導(dǎo)體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導(dǎo)層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構(gòu)成。按其功能、結(jié)構(gòu)的不同，可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路和數(shù)/模混合集成電路三大類。江蘇本地集成電路廠家...

球形觸點(diǎn)陣列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陣列方式制作出球形凸點(diǎn)用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點(diǎn)陣列載體（PAC）。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP（四側(cè)引腳扁平封裝）小。例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA*為31mm見方；而引腳中心距為0.5mm的304 引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔(dān)心QFP那樣的引腳變形問題（見有圖所示）。嚴(yán)禁在無隔離變壓器的情況下，用已接地的測(cè)試設(shè)備去接觸底板帶電的電視、音響、錄像等設(shè)備。無錫節(jié)能集成電路圖片這就是初期集成電路的構(gòu)想，晶體管...

5、要保證焊接質(zhì)量焊接時(shí)確實(shí)焊牢，焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。焊接時(shí)間一般不超過3秒鐘，烙鐵的功率應(yīng)用內(nèi)熱式25W左右。已焊接好的集成電路要仔細(xì)查看，比較好用歐姆表測(cè)量各引腳間有否短路，確認(rèn)無焊錫粘連現(xiàn)象再接通電源。6、不要輕易斷定集成電路的損壞不要輕易地判斷集成電路已損壞。因?yàn)榧呻娐方^大多數(shù)為直接耦合，一旦某一電路不正常，可能會(huì)導(dǎo)致多處電壓變化，而這些變化不一定是集成電路損壞引起的，另外在有些情況下測(cè)得各引腳電壓與正常值相符或接近時(shí)，也不一定都能說明集成電路就是好的。因?yàn)橛行┸浌收喜粫?huì)引起直流電壓的變化。同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)DTCP 的命名（見DTCP）。徐州質(zhì)量集成電路圖片3...

凸點(diǎn)陳列載體，BGA的別稱（見BGA）。34、PCLP（printed circuit board leadless package）印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對(duì)塑料QFN（塑料LCC）采用的名稱（見QFN）。引腳中心距有0.55mm和0.4mm兩種規(guī)格。35、PFPF（plastic flat package）塑料扁平封裝。塑料QFP的別稱（見QFP）。部分LSI廠家采用的名稱。36、PGA（pin grid array）集成電路陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都采用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數(shù)為陶瓷PGA，用于高速大...

表面貼裝器件。偶而，有的半導(dǎo)體廠家把SOP歸為SMD（見SOP）。SOP的別稱。世界上很多半導(dǎo)體廠家都采用此別稱。（見SOP）。60、SOI（small out-line I-leaded package）I形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝雙側(cè)引出向下呈I字形，中心距1.27mm。貼裝占有面積小于SOP。日立公司在模擬IC（電機(jī)驅(qū)動(dòng)用IC）中采用了此封裝。引腳數(shù)26。61、SOIC（small out-line integrated circuit）SOP的別稱（見SOP）。國(guó)外有許多半導(dǎo)體廠家采用此名稱。62、SOJ（Small Out-Line J-Leaded Packa...

表面貼裝器件。偶而，有的半導(dǎo)體廠家把SOP歸為SMD（見SOP）。SOP的別稱。世界上很多半導(dǎo)體廠家都采用此別稱。（見SOP）。60、SOI（small out-line I-leaded package）I形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝雙側(cè)引出向下呈I字形，中心距1.27mm。貼裝占有面積小于SOP。日立公司在模擬IC（電機(jī)驅(qū)動(dòng)用IC）中采用了此封裝。引腳數(shù)26。61、SOIC（small out-line integrated circuit）SOP的別稱（見SOP）。國(guó)外有許多半導(dǎo)體廠家采用此名稱。62、SOJ（Small Out-Line J-Leaded Packa...

集成電路的產(chǎn)生，任何發(fā)明創(chuàng)造背后都是有驅(qū)動(dòng)力的，而驅(qū)動(dòng)力往往來源于問題。那么集成電路產(chǎn)生之前的問題是，看一下1946年在美國(guó)誕生的世界上***臺(tái)電子計(jì)算機(jī)，它是一個(gè)占地150平方米、重達(dá)30噸的龐然大物，里面的電路使用了17468只電子管、7200只電阻、10000只電容、50萬(wàn)條線，耗電量150千瓦 [1]。顯然，占用面積大、無法移動(dòng)是它**直觀和突出的問題；如果能把這些電子元件和連線集成在一小塊載體上該有多好，相信，有很多人思考過這個(gè)問題，也提出過各種想法。典型的如英國(guó)雷達(dá)研究所的科學(xué)家達(dá)默，他在1952年的一次會(huì)議上提出：可以把電子線路中的分立元器件，集中制作在一塊半導(dǎo)體晶片上，一小塊晶...

這就是初期集成電路的構(gòu)想，晶體管的發(fā)明使這種想法成為了可能，1947年在美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室制造出來了***個(gè)晶體管，而在此之前要實(shí)現(xiàn)電流放大功能只能依靠體積大、耗電量大、結(jié)構(gòu)脆弱的電子管。晶體管具有電子管的主要功能，并且克服了電子管的上述缺點(diǎn)，因此在晶體管發(fā)明后，很快就出現(xiàn)了基于半導(dǎo)體的集成電路的構(gòu)想，也就很快發(fā)明出來了集成電路。杰克·基爾比（Jack Kilby）和羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）在1958~1959期間分別發(fā)明了鍺集成電路和硅集成電路。集成電路的產(chǎn)生，任何發(fā)明創(chuàng)造背后都是有驅(qū)動(dòng)力的，而驅(qū)動(dòng)力往往來源于問題。徐州本地集成電路廠家現(xiàn)貨1990年-2000年：以908工程、...

21、JLCC（J-leaded chip carrier）J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱（見CLCC和QFJ）。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。22、LCC（Leadless chip carrier）無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個(gè)側(cè)面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN－C（見QFN）。23、LGA（land grid array）觸點(diǎn)陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點(diǎn)的封裝。裝配時(shí)插入插座即可。現(xiàn)已實(shí)用的有227觸點(diǎn)（1.27mm中心距）和447觸點(diǎn)（2.54mm中心距）的陶瓷LGA，應(yīng)用于高速邏輯LSI...

美國(guó)Olin公司開發(fā)的一種QFP封裝。基板與封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W～2.8W的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993年獲得特許開始生產(chǎn)。31、MSP（mini square package）QFI的別稱（見QFI），在開發(fā)初期多稱為MSP。QFI是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱。34、OPMAC（over molded pad array carrier）模壓樹脂密封凸點(diǎn)陳列載體。美國(guó)Motorola公司對(duì)模壓樹脂密封BGA采用的名稱（見BGA）。32、P－（plastic）表示塑料封裝的記號(hào)。如PDIP表示塑料DIP。33、PAC（pad array car...