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    來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-10-14

    在 LED 封裝領(lǐng)域,AuRoFUSE?技術(shù)成功解決了高功率 LED 的散熱和熱膨脹匹配問題,使得 LED 模組能夠直接與低成本的金屬基板接合,大幅降低了系統(tǒng)成本;在功率器件領(lǐng)域,產(chǎn)品的高溫穩(wěn)定性(可達(dá) 300℃以上)使其成為 SiC、GaN 等第三代半導(dǎo)體器件的理想封裝材料;在傳感器和 MEMS 領(lǐng)域,產(chǎn)品的高真空密封性能(氦氣泄漏率達(dá) 1.0×10^-13 Pa?m3/s)和精密圖案形成能力為品牌傳感器制造提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐。在 LED 封裝領(lǐng)域,AuRoFUSE?技術(shù)成功解決了高功率 LED 的散熱和熱膨脹匹配問題,使得 LED 模組能夠直接與低成本的金屬基板接合,大幅降低了系統(tǒng)成本;在功率器件領(lǐng)域,產(chǎn)品的高溫穩(wěn)定性(可達(dá) 300℃以上)使其成為 SiC、GaN 等第三代半導(dǎo)體器件的理想封裝材料;在傳感器和 MEMS 領(lǐng)域,產(chǎn)品的高真空密封性能(氦氣泄漏率達(dá) 1.0×10^-13 Pa?m3/s)和精密圖案形成能力為品牌傳感器制造提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐。燒結(jié)金膠可靠的,增強(qiáng)耐腐蝕性,有雙重?zé)Y(jié)模式。了解燒結(jié)金膠功能

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    在熱壓工藝方面,產(chǎn)品表現(xiàn)出了優(yōu)異的可控性。以 AuRoFUSE?預(yù)制件為例,在 200℃、20MPa、10 秒的熱壓條件下,雖然在壓縮方向上顯示出約 10% 的收縮率,但在水平方向上較少變形,可用作接合強(qiáng)度足以承受實(shí)際應(yīng)用的 Au 凸塊。這種可控的變形特性確保了鍵合的精度和可靠性。產(chǎn)品的環(huán)保特性在工藝技術(shù)層面也得到了充分體現(xiàn)。AuRoFUSE?是無鹵素的金膏材,這一特性不僅符合日益嚴(yán)格的環(huán)保法規(guī)要求,也為客戶提供了更安全、更清潔的生產(chǎn)環(huán)境。工藝技術(shù)的另一個(gè)重要優(yōu)勢(shì)是其操作簡(jiǎn)便性。安裝元件(金電極)后,在無按壓的情況下升溫(0.5℃/ 秒)至 200℃,20 分鐘即可完成接合。這種簡(jiǎn)單的操作流程降低了對(duì)操作人員技能水平的要求,提高了生產(chǎn)效率。新型燒結(jié)金膠電子燒結(jié)金膠先進(jìn)的,用于 MEMS 氣密封裝,優(yōu)化光學(xué)性能。

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    TANAKA 燒結(jié)金膠在關(guān)鍵性能參數(shù)方面大方面優(yōu)勢(shì),這些優(yōu)異的性能參數(shù)直接決定了產(chǎn)品在各種應(yīng)用場(chǎng)景中的表現(xiàn)。在電學(xué)性能方面,產(chǎn)品具有極低的電阻率,標(biāo)準(zhǔn)膏材的電阻率為 5.4μΩ?cm,預(yù)制件的電阻率更是低至 4.5μΩ?cm。這種低電阻率特性確保了優(yōu)異的導(dǎo)電性能,減少了電能損耗。在熱學(xué)性能方面,產(chǎn)品表現(xiàn)尤為突出。標(biāo)準(zhǔn)膏材的熱導(dǎo)率大于 150W/m?K,預(yù)制件的熱導(dǎo)率更是高達(dá) 200W/m?K。這種優(yōu)異的熱導(dǎo)率特性使得 AuRoFUSE?在需要高效散熱的功率器件和 LED 應(yīng)用中具有不可替代的優(yōu)勢(shì)。

    在第三代半導(dǎo)體器件應(yīng)用中,AuRoFUSE?技術(shù)具有不可替代的優(yōu)勢(shì)。使用碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)的次世代功率半導(dǎo)體,操作溫度有超過 300℃的情形。如果使用金 - 錫類焊料接合,材料將會(huì)熔融,但使用 "AuRoFUSE?" 接合,即使在 300℃高溫下也能保持穩(wěn)定的接合性能。這一高溫穩(wěn)定性特性使得 AuRoFUSE?成為 SiC 和 GaN 功率器件封裝的理想選擇。隨著新能源汽車、5G 基站、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域?qū)Ω咝使β势骷枨蟮目焖僭鲩L(zhǎng),能夠在高溫下穩(wěn)定工作的封裝材料變得越來越重要。燒結(jié)金膠低溫的,在汽車電子中應(yīng)用,提升導(dǎo)電性。

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    傳統(tǒng)的面朝下接合結(jié)構(gòu)必須使用價(jià)格高昂的氮化鋁基板,而采用AuRoFUSE?技術(shù)后,能夠直接與金屬基板接合,成本不僅較為低廉,還能制造出更小型且高性能的模組。這一成本優(yōu)勢(shì)使得高功率LED技術(shù)能夠在更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域得到推廣。在特殊環(huán)境LED照明應(yīng)用中,AuRoFUSE?技術(shù)展現(xiàn)出了優(yōu)異的適應(yīng)性。開發(fā)出的LED模組可適應(yīng)過度的溫度高低變化,因此可用于預(yù)計(jì)今后進(jìn)出口時(shí)需求漸增的冷凍倉(cāng)庫(kù)用照明。此外,小型模組還可應(yīng)用于車用照明的制造,以提升車輛的設(shè)計(jì)性等,甚至能夠解決過去成本高昂、開發(fā)困難的各種問題。天先進(jìn)的燒結(jié)金膠,確保穩(wěn)定性,應(yīng)用于 LED 封裝。某種燒結(jié)金膠合成技術(shù)

    燒結(jié)金膠先進(jìn)的,無壓可燒結(jié),用于電子封裝。了解燒結(jié)金膠功能

    在粒徑控制方面,產(chǎn)品采用亞微米級(jí)(次微米)金粒子,通過精確的粒徑控制技術(shù)實(shí)現(xiàn)了均勻的粒徑分布。這種亞微米級(jí)的粒徑設(shè)計(jì)不僅賦予了材料優(yōu)異的低溫?zé)Y(jié)特性,還確保了燒結(jié)后形成的金層具有良好的致密性和均勻性。材料的燒結(jié)機(jī)理體現(xiàn)了 TANAKA 在納米材料科學(xué)領(lǐng)域的技術(shù)深度。當(dāng) AuRoFUSE?被加熱至 200℃時(shí),溶劑會(huì)先蒸發(fā),即便不施壓,Au 粒子也可實(shí)現(xiàn)燒結(jié)結(jié)合,獲得約 30MPa 的充分接合強(qiáng)度。這種無壓燒結(jié)特性不僅簡(jiǎn)化了工藝要求,還降低了對(duì)設(shè)備的要求。更重要的是,產(chǎn)品具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性,可在 1064℃的高溫下保持穩(wěn)定性能。這一特性使得 AuRoFUSE?特別適合在高溫環(huán)境下工作的功率器件和傳感器應(yīng)用。。。了解燒結(jié)金膠功能

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