方便燒結金膠常用知識

在第三代半導體器件應用中，AuRoFUSE?技術具有不可替代的優勢。使用碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）的次世代功率半導體，操作溫度有超過 300℃的情形。如果使用金 - 錫類焊料接合，材料將會熔融，但使用 "AuRoFUSE?" 接合，即使在 300℃高溫下也能保持穩定的接合性能。這一高溫穩定性特性使得 AuRoFUSE?成為 SiC 和 GaN 功率器件封裝的理想選擇。隨著新能源汽車、5G 基站、工業自動化等領域對高效率功率器件需求的快速增長，能夠在高溫下穩定工作的封裝材料變得越來越重要。燒結金膠高純度的，適用于傳感器封裝，降低能耗。方便燒結金膠常用知識

2013年12月起，田中貴金屬工業開始提供使用次微米級金粒子膏材"AuRoFUSE?"，通過高精密網版印刷法在基板上一次印刷即可形成微細復合圖案的技術。這一技術使得復雜的MEMS結構能夠通過簡單的印刷工藝實現，很好降低了制造成本和工藝復雜度。在MEMS代工制造領域，AuRoFUSE?技術也發揮著重要作用。田中貴金屬工業與MEMSCORE公司簽訂共同研發協議，針對次微米大小金粒子MEMS裝置的圖案形成技術展開技術合作，建立了從MEMS零件的試作到安裝的代工制造廠能力。這種合作模式為MEMS廠商提供了從材料研發到設備組裝的一站式解決方案。。。燒結金膠價格多少高效的燒結金膠，降低能耗，應用于光通信器件。

TANAKA 燒結金膠在關鍵性能參數方面大方面優勢，這些優異的性能參數直接決定了產品在各種應用場景中的表現。在電學性能方面，產品具有極低的電阻率，標準膏材的電阻率為 5.4μΩ?cm，預制件的電阻率更是低至 4.5μΩ?cm。這種低電阻率特性確保了優異的導電性能，減少了電能損耗。在熱學性能方面，產品表現尤為突出。標準膏材的熱導率大于 150W/m?K，預制件的熱導率更是高達 200W/m?K。這種優異的熱導率特性使得 AuRoFUSE?在需要高效散熱的功率器件和 LED 應用中具有不可替代的優勢。

在汽車電子領域，AuRoFUSE?技術在車載零部件等需要高度技術創新的先進技術中具有重要應用價值。汽車電子化程度的不斷提高對電子器件的可靠性和耐高溫性能提出了更高要求，AuRoFUSE?的優異性能使其能夠滿足汽車級應用的嚴格標準。在半導體封裝的更廣泛應用中，AuRoFUSE?技術能夠實現半導體配線微細化和多種芯片集成（高密度化），這對于推動半導體技術的發展具有重要意義。隨著摩爾定律逐漸接近物理極限，通過先進封裝技術實現系統性能提升成為重要發展方向，AuRoFUSE?的窄間距鍵合能力為此提供了關鍵技術支撐。可靠的燒結金膠，用于 MEMS 氣密封裝，無壓可燒結。

在粒徑控制方面，產品采用亞微米級（次微米）金粒子，通過精確的粒徑控制技術實現了均勻的粒徑分布。這種亞微米級的粒徑設計不僅賦予了材料優異的低溫燒結特性，還確保了燒結后形成的金層具有良好的致密性和均勻性。材料的燒結機理體現了 TANAKA 在納米材料科學領域的技術深度。當 AuRoFUSE?被加熱至 200℃時，溶劑會先蒸發，即便不施壓，Au 粒子也可實現燒結結合，獲得約 30MPa 的充分接合強度。這種無壓燒結特性不僅簡化了工藝要求，還降低了對設備的要求。更重要的是，產品具有優異的高溫穩定性，可在 1064℃的高溫下保持穩定性能。這一特性使得 AuRoFUSE?特別適合在高溫環境下工作的功率器件和傳感器應用。高純度的燒結金膠，工藝兼容性強，降低能耗。燒結金膠供應

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TANAKA燒結金膠產品具有多項獨特的技術特點，這些特點構成了其在市場競爭中的重要優勢。首先，產品采用不含高分子等的球狀次微米Au粒子，在約150℃無壓下即可開始燒結。這種低溫燒結特性不僅降低了能耗，還避免了高溫對器件的熱損傷。其次，產品具有靈活的燒結模式選擇：無壓燒結時可獲得多孔燒結體，通過加壓可獲得致密的Au。這種雙重模式設計為不同應用場景提供了定制化的解決方案，既可以滿足需要應力緩沖的應用，也可以滿足需要高導熱性的應用。。。。。方便燒結金膠常用知識