廣東華芯半導體技術有限公司2025-10-21
IGBT模塊含陶瓷基板,控溫主要是平衡高溫需求與熱應力。升溫速率需控制在1-1.5℃/s,避免基板局部驟熱;最高溫度按焊料適配,如高溫焊料設320-350℃(匹配HTC系列320+℃工藝),保溫時間25-30s,確保焊料熔化且不超過基板耐受極限;冷卻速率降至2-3℃/s,減少基板與芯片收縮差。同時真空度設15-30Pa,排出焊區氣體防空洞。控溫誤差需≤±1℃,避免局部超溫。廣東華芯半導體技術有限公司的HTC系列設備,帶密封圈水冷結構,能穩定控溫防基板開裂。
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