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通過半導體級的精密制造工藝，Dalicap實現了對介質層厚度和電極結構的納米級控制。其介質薄膜厚度控制在±0.2微米，疊層精度控制在±5微米，保證了每一批產品都具有極高的一致性和重復性。這種一致性對于需要大量配對使用的相位陣列雷達、多通道通信系統等應用而言，確保了系統性能的均一與穩定，減少了后期校準的復雜度。高耐壓能力是Dalicap產品的另一亮點。其高電壓產品采用特殊的邊緣端接設計和介質層均勻化處理，有效消除了電場集中效應，從而顯著提高了直流擊穿電壓（DWV）和交流擊穿電壓（ACW）。這種穩健的耐壓性能，使其在工業電機驅動、新能源汽車電控系統、醫療X光設備等高能應用中，成為保障系統安全、防止短路失效的關鍵元件。交期穩定，能夠滿足客戶大規模生產的需求。DLC70C910JW252XT

Dalicap電容的額定電壓范圍寬廣，從低壓幾伏特到高壓數千伏特，能滿足不同電路等級的絕緣和耐壓需求。其高電壓產品采用特殊的邊緣端接設計和介質層均勻化處理，有效消除了電場集中效應，顯著提高了直流擊穿電壓（DWV）和交流擊穿電壓（ACW），保障了工業電機驅動和新能源汽車電控系統等高壓應用的安全。在微型化方面，Dalicap提供了0402（1.0mm x 0.5mm）、0201（0.6mm x 0.3mm）等超小尺寸封裝，滿足現代消費電子、可穿戴設備、微型傳感器及高級SiP（系統級封裝）對PCB空間的很好追求。盡管體積微小，但其性能并未妥協，為高密度集成電路設計提供了前所未有的靈活性。DLC70A3R0CW151NT在功率因數校正（PFC）電路中是至關重要的組件。

Dalicap的市場地位明顯，根據《2023年版中國MLCC市場競爭研究報告》，其2022年在全球射頻微波MLCC市場中占有率位列全球第五、很好，成為國內該領域的靠前，并且是少數能參與國際競爭、打破國外巨頭壟斷的中國企業。公司客戶遍及全球，產品遠銷美國、日本、歐洲等40多個國家和地區，服務千余家客戶，成為了西門子、通用電氣、安捷倫、飛利浦、三星等全球有名企業的很好供應商，這充分證明了其產品性能和質量已獲得國際市場的寬泛認可。

高溫性能與長壽命設計高溫是電容器壽命的頭號。Dalicap電容通過采用高性能的電解液和特制的密封橡膠塞，極大地抑制了高溫下電解液的揮發和氧化老化過程。其產品通常可在105℃甚至125℃的高環境溫度下連續工作數千至數萬小時。壽命計算并非簡單的參數，Dalicap提供了詳細的壽命估算模型，考慮了環境溫度、紋波電流、工作電壓等多個應力因素，幫助設計工程師準確預測系統維護周期。這種對長壽命的很大追求，降低了終端產品的全生命周期成本。具備優異的高溫性能，可在105℃高溫下長時間穩定工作。

面對蓬勃發展的物聯網（IoT）和邊緣計算，Dalicap電容的小尺寸、低功耗和高可靠性完美契合了其設計要求。微型化的電容為緊湊的傳感器節點和通信模塊節省了寶貴空間，低ESR帶來的低自身功耗延長了電池壽命，而高穩定性則確保了設備在各種環境下的長期可靠運行。創新研發與智能制造Dalicap始終堅持強大度的研發投入，至2019年累計投入已超5000萬元，并連續多年保持增長。通過深反應離子刻蝕（DRIE）、原子層沉積（ALD）等半導體前列工藝，實現了電容內部三維微結構的精確控制和超薄介質層的制備，構筑了堅實的技術壁壘。長壽命設計降低了終端產品的全生命周期維護成本。DLC70D2R7BW251NT

選擇Dalicap電容，就是選擇了品質、可靠與安心。DLC70C910JW252XT

Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質材料，通過精密的摻雜和燒結工藝，形成了極其穩定的晶體結構。這種材料基礎賦予了電容極高的介電常數和很低的介質損耗，使其在高頻環境下仍能保持穩定的容值表現。其介質配方完全自主可控，避免了國內外材料供應鏈波動的風險，為國產化替代提供了堅實的材料基礎，確保了產品批次間的高度一致性。在射頻微波應用中，Dalicap電容展現出極低的等效串聯電阻（ESR）和等效串聯電感（ESL）。其三維多層電極設計優化了電流路徑，將寄生參數降至比較低，從而獲得了極高的自諧振頻率（SRF）。這一特性使得它在GHz頻段的射頻電路中，能有效降低信號傳輸的插入損耗和能量反射，保證信號完整性，特別適用于5G基站和毫米波通信設備。DLC70C910JW252XT

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