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    佛山哪家蝕刻液蝕刻液配方技術

    來源: 發(fā)布時間:2023-07-06

        伸縮桿12下端固定安裝有圓環(huán)塊13,圓環(huán)塊13與噴頭10之間固定連接有連接桿14,分隔板2與承載板3相互垂直設置,電解池4內(nèi)部底端的傾斜角度設計為5°,進液管8的形狀設計為l型,且進液管8貫穿分隔板2設置在進液漏斗6與伸縮管9之間,圓環(huán)塊13通過伸縮桿12活動安裝在噴頭10上方,且噴頭10通過伸縮管9活動安裝在電解池4上方,通過設置有伸縮管9與伸縮桿12,能夠在蝕刻液通過進液管8流入到電解池4中時,啟動液壓缸11帶動伸縮桿12向上移動,從而通過圓環(huán)塊13配合伸縮管9帶動噴頭10向上移動,進而將蝕刻液緩慢的由噴頭10噴入到電解池4中,避免蝕刻液對電解池4造成沖擊而影響其使用壽命,具有保護電解池4的功能;分隔板2右端表面靠近上端固定安裝有增壓泵16,增壓泵16下端與電解池4之間連接有回流管15,增壓泵16上端與進液管8之間連接有一號排液管17,回流管15內(nèi)部左端設置有一號電磁閥18,回流管15與進水管27的形狀均設計為l型,通過在增壓泵16下端設置有回流管15,能夠在蝕刻液電解后,啟動增壓泵16并打開一號電磁閥18,將蝕刻液通過回流管15抽入到一號排液管17中,并由進液管8導入到伸縮管9中,直至蝕刻液由噴頭10重新噴到電解池4中。華星光電用的哪家的蝕刻液?佛山哪家蝕刻液蝕刻液配方技術

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        本發(fā)明涉及銅蝕刻液技術領域,具體涉及一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝。背景技術:高精細芯片和顯示集成電路主要采用銅制程,其光刻工藝中形成銅膜層結構所需用的銅刻蝕液中主要的為過氧化氫系銅刻蝕液。過氧化氫系銅蝕刻液較其他銅刻蝕液體系(如三氯化鐵體系,過硫酸銨體系)具有不引人其他金屬離子在銅層表面或線路體系中,產(chǎn)物親和、友好、環(huán)境污染少,刻蝕效率高且使用壽命較長的特點。大部分過氧化氫系銅刻蝕液包括參與氧化的過氧化氫組分、參與溶解的無機酸/有機酸組分,以及部分銅緩蝕劑等各類添加三個部分。由于銅蝕刻液中各物質(zhì)的反應為放熱反應,體系中又含有過氧化氫在制備銅蝕刻液的生產(chǎn)過程中需要保證生產(chǎn)安全。技術實現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的在于,克服現(xiàn)有技術中存在的缺陷,提供一種銅蝕刻液大規(guī)模量產(chǎn)的生產(chǎn)工藝,該生產(chǎn)工藝溫控嚴格,生產(chǎn)過程中安全性高。為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的技術方案是設計一種酸性銅蝕刻液的生產(chǎn)工藝,所述工藝包括以下步驟:第一步:將純水進行低溫處理,使純水溫度≤10℃在純水罐中備用;第二步:配制和準備原料,將亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸分別投入對應的原料罐中,經(jīng)過過濾器循環(huán)過濾,備用。廣州市面上哪家蝕刻液私人定做蝕刻液的價格哪家比較優(yōu)惠?

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        本實用涉及電子化學品生產(chǎn)設備技術領域,具體為高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置。背景技術:近年來,人們對半導體裝置、液晶顯示器的需求量不斷增加的同時,對于這些裝置所具有的配線、電極等的微小化、高性能化的要求也越來越嚴格,而蝕刻的效果能直接導致電路板制造工藝的好壞,影響高密度細導線圖像的精度和質(zhì)量,為了解決蝕刻液組合物蝕刻鋁材料過程中,對蝕刻速率慢、難以控制蝕刻角度和不同金屬層的蝕刻量而造成的多層配線的半導體裝置的配線的斷路、短路,得到較高的成品率,為保證其穩(wěn)定性及蝕刻的平滑度及精度,在蝕刻液中需要加入多種組分,而常規(guī)的生產(chǎn)方法是將蝕刻液中的各組份在同一容器中一起混合。現(xiàn)有的高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置密封性差,連接安裝步驟繁瑣,還需要使用工具才能進行連接安裝或拆卸,而且現(xiàn)有的高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置沒有過濾的部件,蝕刻液中的各組份蝕刻液雜質(zhì)含量多,且多種強酸直接共混存在較大的安全隱患,裝置不夠完善,難以滿足現(xiàn)代社會的需求。所以,如何設計高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產(chǎn)裝置,成為我們當前需要解決的問題。

        更推薦滿足。參照圖4,在添加劑(硅烷系偶聯(lián)劑)的aeff處于,能夠使因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良**少化,在硅烷系偶聯(lián)劑的aeff處于,能夠使氧化物膜損傷不良**少。因此,在利用上述范圍所重疊范圍(規(guī)格(spec)滿足區(qū)間)即aeff為2以上,能夠使因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良以及氧化物膜損傷不良**少化。在上述添加劑的aeff值處于上述范圍內(nèi)的情況下,上述添加劑可以具有適宜水平的防蝕能力,由此,即使沒有消耗費用和時間的實際的實驗過程,也能夠選擇具有目標防蝕能力的硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑。本發(fā)明的上述硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑推薦按照保護對象膜(氧化物膜)的蝕刻程度(etchingamount,e/a)滿足以上以下的范圍的濃度來添加。例如,對于包含氧化物膜(例如,sio2)和上述氧化物膜上的氮化物膜(例如,sin)的膜在160℃以添加劑濃度1000ppm基準處理10,000秒的情況下,推薦按照保護對象膜的蝕刻程度(etchingamount,e/a)滿足以上以下的范圍的濃度添加。本發(fā)明的添加劑的防蝕能力可以通過上述添加劑的aeff值與濃度之積來計算,由蝕刻程度(etchingamount,e/a)來表示。蝕刻程度的正的值表示蝕刻工序后厚度增加。哪家公司的蝕刻液是比較劃算的?

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    銀蝕刻液主要用于印刷線路板制造,銀器及銀合金的蝕刻、標牌制作。二、突出特點1.蝕刻速度快,效率高。使用方便。蝕刻最高速度可達2000納米/秒。2.可循環(huán)使用,無廢液排放。三、理化指標外觀:液體;氣味:微;比重:1.05±0.1;pH:偏堿性四、使用方法1.預處理:如銀或銅合金表面不潔凈,需對表面進行潔凈處理,如除油、除雜等。2.蝕刻:(1).將圖案模板紙粘附于銀板或銀器上,再將銀蝕刻液用噴淋設備噴于圖案處,時間1分鐘到幾十分鐘不定(用戶可根據(jù)蝕刻要求自行試驗時間,因模板紙不同,時間也不同),揭去模板紙,用清水沖掉殘物。(2).用100-200T的絲網(wǎng),75度硬度的聚酯刮膠,將光固化抗蝕刻油墨印刷在基板上,然后將油墨在紫外燈下光照20—30秒鐘,(紫外光能量為1000mj/cm2)。用噴淋的方式進行蝕刻,溫度50±5℃,壓力1-3kg/cm2時間1分鐘到幾分鐘,(具體時間根據(jù)蝕刻深度而定)。然后,用1%--3%的氫氧化鈉溶液將光固化抗蝕刻油墨溶解出去。蝕刻液的的性價比、質(zhì)量哪家比較好?成都蝕刻液推薦貨源

    如何選擇一家好的做蝕刻液的公司。佛山哪家蝕刻液蝕刻液配方技術

        本發(fā)明涉及一種用來在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻液及使用該蝕刻液的蝕刻方法。背景技術:以往,在蝕刻鈦時一直使用含有氫氟酸或過氧化氫的蝕刻液。例如專利文獻1中提出了一種鈦的蝕刻液,該鈦的蝕刻液是用來在銅或鋁的存在下蝕刻鈦,并且該蝕刻液的特征在于:利用由10重量%至40重量%的過氧化氫、%至5重量%的磷酸、%至%的膦酸系化合物及氨所構成的水溶液將pH值調(diào)整為7至9。但是,含有氫氟酸的蝕刻液存在毒性高的問題,含有過氧化氫的蝕刻液存在缺乏保存穩(wěn)定性的問題。現(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1:日本特許第4471094號說明書。技術實現(xiàn)要素:發(fā)明所要解決的問題本發(fā)明是鑒于所述實際情況而成,其目的在于提供一種蝕刻液及使用該蝕刻液的蝕刻方法,所述蝕刻液可在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦,而且毒性低,保存穩(wěn)定性優(yōu)異。解決問題的技術手段本發(fā)明的蝕刻液是為了在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦而使用,并且含有:選自由硫酸、鹽酸及三氯乙酸所組成的群組中的至少一種酸;以及選自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所組成的群組中的至少一種有機硫化合物。所述硫酮系化合物推薦為選自由硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所組成的群組中的至少一種。佛山哪家蝕刻液蝕刻液配方技術

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