國瑞熱控光刻膠烘烤加熱盤以微米級溫控精度支撐光刻工藝，采用鋁合金基體與陶瓷覆層復合結構，表面粗糙度 Ra 小于 0.1μm，減少光刻膠涂布缺陷。加熱面劃分 6 個**溫控區域，通過仿真優化的加熱元件布局，使溫度均勻性達 ±0.5℃，避免烘烤過程中因溫度差異導致的光刻膠膜厚不均。溫度調節范圍覆蓋 60℃至 150℃，升溫速率 10℃/ 分鐘，搭配無接觸紅外測溫系統，實時監測晶圓表面溫度并動態調節。設備兼容 6 英寸至 12 英寸光刻機配套需求，與 ASML、尼康等設備的制程參數匹配，為光刻膠的軟烘、堅膜等關鍵步驟提供穩定溫控環境。低熱容設計，升溫降溫迅捷，適合快速變溫工藝。金山區晶圓級陶瓷加熱盤...

為解決加熱盤長期使用后的溫度漂移問題，國瑞熱控開發**校準模塊，成為半導體生產線的精度保障利器。模塊采用鉑電阻與熱電偶雙傳感設計，測溫精度達 ±0.05℃，可覆蓋室溫至 800℃全溫度范圍，適配不同材質加熱盤的校準需求。配備便攜式數據采集終端，支持實時顯示溫度分布曲線與偏差分析，數據可通過 USB 導出形成校準報告。校準過程無需拆卸加熱盤，通過磁吸式貼合加熱面即可完成檢測，單臺設備校準時間縮短至 30 分鐘以內。適配國瑞全系列半導體加熱盤，同時兼容 Kyocera、CoorsTek 等國際品牌產品，幫助企業建立完善的溫度校準體系，確保工藝參數的一致性與可追溯性。大小功率齊全覆蓋廣，靈活匹配實驗...

國瑞熱控封裝測試**加熱盤聚焦半導體后道工藝需求，采用輕量化鋁合金材質，通過精密加工確保加熱面平整度誤差小于 0.05mm，適配不同尺寸封裝器件的測試需求。加熱元件采用片狀分布設計，熱響應速度快，可在 5 分鐘內將測試溫度穩定在 - 40℃至 150℃之間，滿足高低溫循環測試、老化測試等場景要求。表面采用防粘涂層處理，減少測試過程中污染物附著，且易于清潔維護。配備可編程溫控系統，支持自定義測試溫度曲線，可存儲 100 組以上測試參數，方便不同型號器件的測試切換。與長電科技、通富微電等封裝測試企業合作，適配其自動化測試生產線，為半導體器件可靠性驗證提供精細溫度環境，助力提升產品良率。精密實驗理想...

國瑞熱控高真空半導體加熱盤，專為半導體精密制造的真空環境設計，實現無污染加熱解決方案。產品采用特殊密封結構與高純材質制造，所有部件均經過真空除氣處理，在 10??Pa 高真空環境下無揮發性物質釋放，避免污染晶圓表面。加熱元件采用嵌入式設計，與基材緊密結合，熱量傳遞損耗降低 30%，熱效率***提升。通過內部溫度場模擬優化，加熱面均溫性達 ±1℃，適配光學器件鍍膜、半導體晶圓加工等潔凈度要求嚴苛的場景。設備可耐受反復升溫降溫循環，在 - 50℃至 500℃溫度區間內結構穩定，為高真空環境下的精密制造提供符合潔凈標準的溫控保障。密封式設計防潮防塵耐腐蝕，適用于復雜環境特殊氣氛。普陀區涂膠顯影加熱盤...

針對半導體載板制造中的溫控需求，國瑞熱控**加熱盤以高穩定性適配載板鉆孔、電鍍等工藝。采用不銹鋼基材經硬化處理，表面硬度達 HRC50 以上，耐受載板加工過程中的機械沖擊無變形。加熱元件采用蛇形分布設計，加熱面溫度均勻性達 ±1℃，溫度調節范圍 40℃-180℃，適配載板預加熱、樹脂固化等環節。配備真空吸附系統，可牢固固定不同尺寸載板（50mm×50mm 至 300mm×300mm），避免加工過程中位移導致的精度偏差。與深南電路、興森快捷等載板廠商合作，支持 BT 樹脂、玻璃纖維等不同材質載板加工，為 Chiplet 封裝、扇出型封裝提供高質量載板保障。精確穩定溫度環境，提升產品質量一致性，是...

國瑞熱控 12 英寸半導體加熱盤專為先進制程量產需求設計，采用氮化鋁陶瓷與高純銅復合基材，通過多道精密研磨工藝，使加熱面平面度誤差控制在 0.015mm 以內，完美貼合大尺寸晶圓的均勻受熱需求。內部采用分區式加熱元件布局，劃分 8 個**溫控區域，配合高精度鉑電阻傳感器，實現 ±0.8℃的控溫精度，滿足 7nm 至 14nm 制程對溫度均勻性的嚴苛要求。設備支持真空吸附與靜電卡盤雙重固定方式，適配不同類型的反應腔結構，升溫速率達 20℃/ 分鐘，工作溫度范圍覆蓋室溫至 600℃，可兼容 PVD、CVD、刻蝕等多道關鍵工藝。通過與中芯國際、長江存儲等企業的深度合作，已實現與國產 12 英寸晶圓生...

國瑞熱控依托 10 余年半導體加熱盤研發經驗，提供全流程定制化研發服務，滿足客戶特殊工藝需求。服務流程涵蓋需求分析、方案設計、原型制作、性能測試、批量生產五大環節，可根據客戶提供的工藝參數（溫度范圍、控溫精度、尺寸規格、環境要求等），定制特殊材質（如高純石墨、氮化硅陶瓷）、特殊結構（如多腔體集成、異形加熱面）的加熱盤。配備專業研發團隊（含材料學、熱力學、機械設計工程師），采用 ANSYS 溫度場仿真軟件優化設計方案，原型樣品交付周期**短 10 個工作日，且提供 3 次**方案迭代。已為國內多家半導體設備廠商定制**加熱盤，如為某企業開發的真空腔體集成加熱盤，實現加熱與勻氣功能一體化，滿足其特...

國瑞熱控金屬加熱盤突破海外技術壁壘，實現復雜結構產品量產能力。采用不銹鋼精密加工一體化成型，通過五軸聯動機床制造螺紋斜孔等復雜結構，加熱面粗糙度 Ra 小于 0.1μm。內置螺旋狀不銹鋼加熱元件，經真空焊接工藝與基體緊密結合，熱效率達 90%，升溫速率 25℃/ 分鐘，工作溫度范圍室溫至 500℃。設備具備 1000 小時無故障運行能力，通過國內主流客戶認證，可直接替換進口同類產品，在勻氣盤集成等場景中表現優異，助力半導體設備精密零部件國產化。低熱容設計，升溫降溫迅捷，適合快速變溫工藝。四川涂膠顯影加熱盤供應商國瑞熱控氮化鋁陶瓷加熱盤以 99.5% 高純氮化鋁為基材，通過干壓成型與 1800℃...

借鑒晶圓鍵合工藝的技術需求，國瑞熱控鍵合**加熱盤創新采用真空吸附與彈簧壓塊復合結構，通過彈簧壓力限制加熱平臺受熱膨脹，高溫下表面平整度誤差控制在 0.02mm 以內。加熱盤主體采用因瓦合金與氮化鋁復合基材，兼具低熱膨脹系數與高導熱性，溫度均勻性達 ±1.5℃，適配室溫至 450℃的鍵合溫度需求。底部設計雙層隔熱結構，***層阻隔熱量向下傳導，第二層快速散熱避免設備腔體溫升過高。配備精細壓力控制模塊，可根據鍵合類型調整吸附力，在硅 - 硅直接鍵合、金屬鍵合等工藝中確保界面貼合緊密，提升鍵合良率。專業應用工程師團隊，提供工藝優化建議，創造更大價值。奉賢區半導體加熱盤國瑞熱控深耕半導體加熱盤國產化...

國瑞熱控氮化鋁陶瓷加熱盤以 99.5% 高純氮化鋁為基材，通過干壓成型與 1800℃高溫燒結工藝制成，完美適配半導體高溫工藝需求。其熱導率可達 220W/mK，熱膨脹系數* 4.03×10??/℃，與硅晶圓熱特性高度匹配，有效避免高溫下因熱應力導致的晶圓翹曲。內部嵌入鎢制加熱元件，經共燒工藝實現緊密結合，加熱面溫度均勻性控制在 ±1℃以內，工作溫度上限提升至 800℃，遠超傳統鋁合金加熱盤的 450℃極限。表面經精密研磨拋光處理，平面度誤差小于 0.01mm，可耐受等離子體長期轟擊無損傷，在晶圓退火、氧化等高溫工藝中表現穩定，為國產替代提供高性能材質解決方案。堅固耐用設計理念，抗沖擊耐磨損，確...

電控晶圓加熱盤：半導體工藝的準確溫控重點。無錫國瑞熱控的電控晶圓加熱盤，以創新結構設計解釋半導體制造的溫控難題。其底盤內置螺旋狀發熱電纜與均溫膜，通過熱量傳導路徑優化，使加熱面均溫性達到行業高標準，確保晶圓表面溫度分布均勻，為光刻膠涂布等關鍵工藝提供穩定環境。搭配高精度溫度傳感器與限溫開關，溫度波動可控制在極小范圍，適配 6 英寸至 12 英寸不同規格晶圓需求。設備采用卡接組件連接上盤與底盤，通過轉盤驅動齒輪結構實現快速拆裝，大幅降低檢修維護的停機時間，完美契合半導體量產線的高效運維需求。多重安全保護機制，過溫過載自動防護，讓您使用更安心放心。重慶涂膠顯影加熱盤非標定制國瑞熱控針對氮化鎵外延生...

面向先進封裝 Chiplet 技術需求，國瑞熱控**加熱盤以高精度溫控支撐芯片互聯工藝。采用鋁合金與陶瓷復合基材，加熱面平面度誤差小于 0.02mm，確保多芯片堆疊時受熱均勻。內部采用微米級加熱絲布線，實現 1mm×1mm 精細溫控分區，溫度調節范圍覆蓋室溫至 300℃，控溫精度 ±0.3℃，適配混合鍵合、倒裝焊等工藝環節。配備壓力與溫度協同控制系統，在鍵合過程中同步調節溫度與壓力參數，減少界面缺陷。與長電科技、通富微電等企業適配，支持 2.5D/3D 封裝架構，為 AI 服務器等高算力場景提供高密度集成解決方案。專業應用工程師團隊，提供工藝優化建議，創造更大價值。長寧區刻蝕晶圓加熱盤生產廠家...

針對半導體載板制造中的溫控需求，國瑞熱控**加熱盤以高穩定性適配載板鉆孔、電鍍等工藝。采用不銹鋼基材經硬化處理，表面硬度達 HRC50 以上，耐受載板加工過程中的機械沖擊無變形。加熱元件采用蛇形分布設計，加熱面溫度均勻性達 ±1℃，溫度調節范圍 40℃-180℃，適配載板預加熱、樹脂固化等環節。配備真空吸附系統，可牢固固定不同尺寸載板（50mm×50mm 至 300mm×300mm），避免加工過程中位移導致的精度偏差。與深南電路、興森快捷等載板廠商合作，支持 BT 樹脂、玻璃纖維等不同材質載板加工，為 Chiplet 封裝、扇出型封裝提供高質量載板保障。專業團隊技術支持，從選型到安裝全程指導，...

為解決加熱盤長期使用后的溫度漂移問題，國瑞熱控開發**校準模塊，成為半導體生產線的精度保障利器。模塊采用鉑電阻與熱電偶雙傳感設計，測溫精度達 ±0.05℃，可覆蓋室溫至 800℃全溫度范圍，適配不同材質加熱盤的校準需求。配備便攜式數據采集終端，支持實時顯示溫度分布曲線與偏差分析，數據可通過 USB 導出形成校準報告。校準過程無需拆卸加熱盤，通過磁吸式貼合加熱面即可完成檢測，單臺設備校準時間縮短至 30 分鐘以內。適配國瑞全系列半導體加熱盤，同時兼容 Kyocera、CoorsTek 等國際品牌產品，幫助企業建立完善的溫度校準體系，確保工藝參數的一致性與可追溯性。加熱盤及配套一站式，省時省心，長...

國瑞熱控推出半導體加熱盤專項維修服務，針對加熱元件老化、溫度均勻性下降等常見問題提供系統解決方案。服務流程涵蓋外觀檢測、絕緣性能測試、溫度場掃描等 12 項檢測項目，精細定位故障點。采用原廠匹配的氮化鋁陶瓷基材與加熱元件，維修后的加熱盤溫度均勻性恢復至 ±1℃以內，使用壽命延長至新設備的 80% 以上。配備專業維修團隊，可提供上門服務與設備現場調試，單臺維修周期控制在 7 個工作日以內，大幅縮短生產線停機時間。建立維修檔案與質保體系，維修后提供 6 個月質量保障，為企業降低設備更新成本，提升資產利用率。人性化操作界面，參數設置簡單明了，降低人員操作難度。徐匯區涂膠顯影加熱盤供應商針對碳化硅襯底...

國瑞熱控高真空半導體加熱盤，專為半導體精密制造的真空環境設計，實現無污染加熱解決方案。產品采用特殊密封結構與高純材質制造，所有部件均經過真空除氣處理，在 10??Pa 高真空環境下無揮發性物質釋放，避免污染晶圓表面。加熱元件采用嵌入式設計，與基材緊密結合，熱量傳遞損耗降低 30%，熱效率***提升。通過內部溫度場模擬優化，加熱面均溫性達 ±1℃，適配光學器件鍍膜、半導體晶圓加工等潔凈度要求嚴苛的場景。設備可耐受反復升溫降溫循環，在 - 50℃至 500℃溫度區間內結構穩定，為高真空環境下的精密制造提供符合潔凈標準的溫控保障。低熱容設計，升溫降溫迅捷，適合快速變溫工藝。重慶探針測試加熱盤定制針對...

面向半導體實驗室研發場景，國瑞熱控小型加熱盤以高精度與靈活性成為科研得力助手。產品尺寸可定制至 10cm×10cm，適配小規格晶圓與實驗樣本的加熱需求，溫度調節范圍覆蓋室溫至 500℃，**小調節精度達 1℃。采用陶瓷加熱元件與鉑電阻傳感器組合，控溫穩定性達 ±0.5℃，滿足材料研發中對溫度參數的精細控制。設備支持 USB 數據導出功能，可實時記錄溫度變化曲線，便于實驗數據追溯與分析。整體采用便攜式設計，重量* 1.5kg，且具備過熱保護功能，當溫度超過設定閾值時自動斷電，為半導體新材料研發、工藝參數優化等實驗工作提供可靠溫控工具。多重安全保護機制，過溫過載自動防護，讓您使用更安心放心。河北高...

國瑞熱控快速退火**加熱盤以高頻響應特性適配 RTP 工藝需求，采用紅外輻射與電阻加熱復合技術，升溫速率突破 50℃/ 秒，可在數秒內將晶圓加熱至 1000℃以上。加熱盤選用低熱慣性的氮化鋁陶瓷材質，搭配多組**溫控模塊，通過 PID 閉環控制實現溫度快速調節，降溫速率達 30℃/ 秒，有效減少熱預算對晶圓性能的影響。表面噴涂抗熱震涂層，可承受反復快速升降溫循環而無開裂風險，使用壽命超 20000 次循環。設備集成溫度實時監測系統，與應用材料 Centura、東京電子 Trias 等主流爐管設備兼容，為先進制程中的離子***、缺陷修復工藝提供可靠支持。獨特加熱元件絕緣設計，熱效率大幅提升，節能...

借鑒空間站 “雙波長激光加熱” 原理，國瑞熱控開發半導體激光加熱盤，適配極端高溫材料制備。采用氮化鋁陶瓷基體嵌入激光吸收層，表面可承受 3000℃以上局部高溫，配合半導體激光與二氧化碳激光協同加熱，實現 “表面強攻 + 內部滲透” 的加熱效果。加熱區域直徑可在 10mm-200mm 間調節，溫度響應時間小于 1 秒，控溫精度 ±1℃，支持脈沖式加熱模式。設備配備紅外測溫與激光功率閉環控制系統，在鎢合金、鈮合金等耐熱材料研發中應用，為航空航天等**領域提供極端環境模擬工具。高精度溫控可達±1℃，滿足半導體等嚴苛工藝需求。四川涂膠顯影加熱盤生產廠家為降低半導體加熱盤的熱量損耗，國瑞熱控研發**隔熱...

國瑞熱控針對半導體量子點制備需求，開發**加熱盤適配膠體化學合成工藝。采用聚四氟乙烯密封腔體與不銹鋼加熱基體復合結構，耐有機溶劑腐蝕，且無金屬離子溶出污染量子點溶液。內置高精度溫度傳感器，測溫精度達 ±0.1℃，溫度調節范圍 25℃-300℃，支持 0.1℃/ 分鐘的慢速升溫，為量子點成核、生長提供精細熱環境。配備磁力攪拌協同系統，使溶液溫度與攪拌速率同步可控，確保量子點尺寸均一性（粒徑偏差小于 5%）。與中科院化學所等科研團隊合作，成功制備 CdSe、PbS 等多種量子點，其熒光量子產率達 80% 以上，為量子點顯示、生物成像等領域提供**制備設備。結構緊湊安裝便捷，集成多重安全保護機制，使...

面向先進封裝 Chiplet 技術需求，國瑞熱控**加熱盤以高精度溫控支撐芯片互聯工藝。采用鋁合金與陶瓷復合基材，加熱面平面度誤差小于 0.02mm，確保多芯片堆疊時受熱均勻。內部采用微米級加熱絲布線，實現 1mm×1mm 精細溫控分區，溫度調節范圍覆蓋室溫至 300℃，控溫精度 ±0.3℃，適配混合鍵合、倒裝焊等工藝環節。配備壓力與溫度協同控制系統，在鍵合過程中同步調節溫度與壓力參數，減少界面缺陷。與長電科技、通富微電等企業適配，支持 2.5D/3D 封裝架構，為 AI 服務器等高算力場景提供高密度集成解決方案。快速交付承諾，標準產品現貨供應，定制產品周期短響應快。金山區涂膠顯影加熱盤針對半...

針對半導體制造中的高真空工藝需求，國瑞熱控開發**真空密封組件，確保加熱盤在真空環境下穩定運行。組件采用氟橡膠與金屬骨架復合結構，耐溫范圍覆蓋 - 50℃至 200℃，可長期在 10??Pa 真空環境下使用無泄漏。密封件與加熱盤接口精細匹配，通過多道密封設計提升真空密封性，避免反應腔體內真空度下降影響工藝質量。組件安裝過程簡單，無需特殊工具，且具備良好的耐磨性與抗老化性能，使用壽命超 5000 次拆裝循環。適配 CVD、PVD 等真空工藝用加熱盤，與國產真空設備廠商的反應腔體兼容，為半導體制造中的高真空環境提供可靠密封保障，助力提升工藝穩定性與產品良率。低熱容設計升溫降溫快，實現高效熱循環，適...

面向先進封裝 Chiplet 技術需求，國瑞熱控**加熱盤以高精度溫控支撐芯片互聯工藝。采用鋁合金與陶瓷復合基材，加熱面平面度誤差小于 0.02mm，確保多芯片堆疊時受熱均勻。內部采用微米級加熱絲布線，實現 1mm×1mm 精細溫控分區，溫度調節范圍覆蓋室溫至 300℃，控溫精度 ±0.3℃，適配混合鍵合、倒裝焊等工藝環節。配備壓力與溫度協同控制系統，在鍵合過程中同步調節溫度與壓力參數，減少界面缺陷。與長電科技、通富微電等企業適配，支持 2.5D/3D 封裝架構，為 AI 服務器等高算力場景提供高密度集成解決方案。嚴格老化測試性能檢驗，確保產品零缺陷，品質有保障。陜西探針測試加熱盤針對車載半導...

在半導體離子注入工藝中，國瑞熱控配套加熱盤以穩定溫控助力摻雜濃度精細控制。其采用耐高溫合金基材，經真空退火處理消除內部應力，可在 400℃高溫下長期穩定運行而不變形。加熱盤表面噴涂絕緣耐離子轟擊涂層，避免電荷積累對注入精度的干擾，同時具備優良的導熱性能，能快速將晶圓預熱至設定溫度并保持恒定。設備配備雙路溫度監測系統，分別監控加熱元件與晶圓表面溫度，當出現偏差時自動啟動調節機制，溫度控制精度達 ±1℃。適配不同型號離子注入機，通過標準化接口實現快速安裝，為半導體摻雜工藝的穩定性與重復性提供有力支持。加熱盤及配套一站式，省時省心，長期可信賴供應商。湖南晶圓級陶瓷加熱盤供應商針對車載半導體高可靠性需...

面向先進封裝 Chiplet 技術需求，國瑞熱控**加熱盤以高精度溫控支撐芯片互聯工藝。采用鋁合金與陶瓷復合基材，加熱面平面度誤差小于 0.02mm，確保多芯片堆疊時受熱均勻。內部采用微米級加熱絲布線，實現 1mm×1mm 精細溫控分區，溫度調節范圍覆蓋室溫至 300℃，控溫精度 ±0.3℃，適配混合鍵合、倒裝焊等工藝環節。配備壓力與溫度協同控制系統，在鍵合過程中同步調節溫度與壓力參數，減少界面缺陷。與長電科技、通富微電等企業適配，支持 2.5D/3D 封裝架構，為 AI 服務器等高算力場景提供高密度集成解決方案。多種安裝方式可選，靈活適配不同設備，安裝簡便快捷。北京陶瓷加熱盤供應商面向半導體...

國瑞熱控推出半導體加熱盤**溫度監控軟件，實現加熱過程的數字化管理與精細控制。軟件具備實時溫度顯示功能，可通過圖表直觀呈現加熱盤各區域溫度變化曲線，支持多臺加熱盤同時監控，方便生產線集中管理。內置溫度數據存儲與導出功能，可自動記錄加熱過程中的溫度參數，存儲時間長達 1 年，便于工藝追溯與質量分析。具備溫度異常報警功能，當加熱盤溫度超出設定范圍或出現波動異常時，自動發出聲光報警并記錄異常信息，提醒操作人員及時處理。軟件兼容 Windows 與 Linux 操作系統，通過以太網與加熱盤控制系統連接，安裝調試便捷，適配國瑞全系列半導體加熱盤，為半導體生產線的智能化管理提供技術支持。獨特加熱元件設計，...

國瑞熱控針對半導體量子點制備需求，開發**加熱盤適配膠體化學合成工藝。采用聚四氟乙烯密封腔體與不銹鋼加熱基體復合結構，耐有機溶劑腐蝕，且無金屬離子溶出污染量子點溶液。內置高精度溫度傳感器，測溫精度達 ±0.1℃，溫度調節范圍 25℃-300℃，支持 0.1℃/ 分鐘的慢速升溫，為量子點成核、生長提供精細熱環境。配備磁力攪拌協同系統，使溶液溫度與攪拌速率同步可控，確保量子點尺寸均一性（粒徑偏差小于 5%）。與中科院化學所等科研團隊合作，成功制備 CdSe、PbS 等多種量子點，其熒光量子產率達 80% 以上，為量子點顯示、生物成像等領域提供**制備設備。適用半導體、醫療、科研等多個領域，是您理想...

國瑞熱控開發加熱盤智能診斷系統，通過多維度數據監測實現故障預判。系統集成溫度波動分析、絕緣性能檢測、功率曲線對比三大模塊，可識別加熱元件老化、密封失效等 12 類常見故障，提**0 天發出預警。采用邊緣計算芯片實時處理數據，延遲小于 100ms，通過以太網上傳至云平臺，支持手機端遠程查看設備狀態。配備故障診斷數據庫，已積累 1000 + 設備運行案例，診斷準確率達 95% 以上。適配國瑞全系列加熱盤，與半導體工廠 MES 系統兼容，使設備維護從 “事后修理” 轉為 “事前預判”，減少非計劃停機時間。低熱容設計升溫降溫快，實現高效熱循環，適合快速變溫工藝。蘇州晶圓加熱盤非標定制國瑞熱控半導體加熱...

面向半導體實驗室研發場景，國瑞熱控小型加熱盤以高精度與靈活性成為科研得力助手。產品尺寸可定制至 10cm×10cm，適配小規格晶圓與實驗樣本的加熱需求，溫度調節范圍覆蓋室溫至 500℃，**小調節精度達 1℃。采用陶瓷加熱元件與鉑電阻傳感器組合，控溫穩定性達 ±0.5℃，滿足材料研發中對溫度參數的精細控制。設備支持 USB 數據導出功能，可實時記錄溫度變化曲線，便于實驗數據追溯與分析。整體采用便攜式設計，重量* 1.5kg，且具備過熱保護功能，當溫度超過設定閾值時自動斷電，為半導體新材料研發、工藝參數優化等實驗工作提供可靠溫控工具。重視客戶反饋，持續改進產品服務，體驗專業高效合作。浙江晶圓加熱...

國瑞熱控高真空半導體加熱盤，專為半導體精密制造的真空環境設計，實現無污染加熱解決方案。產品采用特殊密封結構與高純材質制造，所有部件均經過真空除氣處理，在 10??Pa 高真空環境下無揮發性物質釋放，避免污染晶圓表面。加熱元件采用嵌入式設計，與基材緊密結合，熱量傳遞損耗降低 30%，熱效率***提升。通過內部溫度場模擬優化，加熱面均溫性達 ±1℃，適配光學器件鍍膜、半導體晶圓加工等潔凈度要求嚴苛的場景。設備可耐受反復升溫降溫循環，在 - 50℃至 500℃溫度區間內結構穩定，為高真空環境下的精密制造提供符合潔凈標準的溫控保障。升溫迅速表面溫差小，過熱保護安全耐用，為設備護航。中國臺灣高精度均溫加...