河北陶瓷加熱盤非標定制

無錫國瑞熱控 PVD 工藝**加熱盤，專為物***相沉積環節的嚴苛溫控需求設計。作為晶圓加工的**載體與射頻回路下電極，其采用陶瓷與高純金屬復合基材，經精密研磨確保加熱面平面度誤差小于 0.02mm，為薄膜均勻生長提供穩定基底。內部螺旋狀加熱元件與均溫層協同作用，使晶圓表面溫度均勻性控制在 ±1℃以內，適配 6 英寸至 12 英寸不同規格晶圓。設備整體采用無揮發潔凈工藝處理，在高真空環境下無雜質釋放，搭配快速升溫技術（升溫速率達 30℃/ 分鐘），完美契合 PVD 工藝中對溫度穩定性與生產效率的雙重要求，為半導體薄膜制備提供可靠溫控支撐。嚴格老化測試檢驗，確保產品零缺陷，品質保證。河北陶瓷加熱盤非標定制

國瑞熱控半導體測試用加熱盤，專為芯片性能測試環節的溫度環境模擬設計，可精細復現芯片工作時的溫度條件。設備溫度調節范圍覆蓋 - 40℃至 150℃，支持快速升溫和降溫，速率分別達 25℃/ 分鐘和 20℃/ 分鐘，能模擬不同工況下的溫度變化。加熱盤表面采用柔性導熱墊層，適配不同厚度的測試芯片，確保熱量均勻傳遞至芯片表面，溫度控制精度達 ±0.5℃。配備可編程溫度控制系統，可預設多段溫度曲線，滿足長時間穩定性測試需求。設備運行時無電磁場干擾，避免對測試數據產生影響，同時具備過溫、過流雙重保護功能，為半導體芯片的性能驗證與質量檢測提供專業溫度環境。晶圓加熱盤精益求精每個環節，溫度一致響應快，性能優異。

國瑞熱控針對離子注入后雜質***工藝，開發**加熱盤適配快速熱退火需求。采用氮化鋁陶瓷基材，熱導率達 200W/mK，熱慣性小，升溫速率達 60℃/ 秒，可在幾秒內將晶圓加熱至 1000℃，且降溫速率達 40℃/ 秒，減少熱預算對晶圓的影響。加熱面采用激光打孔工藝制作微小散熱孔，配合背面惰性氣體冷卻，實現晶圓正反面溫度均勻（溫差小于 2℃）。配備紅外高溫計實時監測晶圓表面溫度，測溫精度 ±2℃，通過 PID 控制確保溫度穩定，適配硼、磷等不同雜質的***溫度需求（600℃-1100℃）。與應用材料離子注入機適配，使雜質***率提升至 95% 以上，為半導體器件的電學性能調控提供關鍵支持。

國瑞熱控半導體加熱盤**散熱系統，為設備快速降溫與溫度穩定提供有力支持。系統采用水冷與風冷復合散熱方式，水冷通道圍繞加熱盤均勻分布，配合高轉速散熱風扇，可在 10 分鐘內將加熱盤溫度從 500℃降至室溫，大幅縮短工藝間隔時間。散熱系統配備智能溫控閥，根據加熱盤實時溫度自動調節水流量與風扇轉速，避免過度散熱導致的能耗浪費。采用耐腐蝕管路與密封件，在長期使用過程中無漏水風險，且具備壓力監測與報警功能，確保系統運行安全。適配高溫工藝后的快速降溫需求，與國瑞加熱盤協同工作，形成完整的溫度控制閉環，為半導體制造中多工藝環節的連續生產提供保障。設計生產精益求精，溫度一致性優，動態響應能力出色。

國瑞熱控推出加熱盤節能改造方案，針對存量設備能耗高問題提供系統升級。采用石墨烯導熱涂層技術提升熱傳導效率，配合智能溫控算法優化加熱功率輸出，使單臺設備能耗降低 20% 以上。改造內容包括加熱元件更換、隔熱層升級與控制系統迭代，保留原有設備主體結構，改造成本*為新設備的 40%。升級后的加熱盤溫度響應速度提升 30%，溫度波動控制在 ±1℃以內，符合半導體行業節能標準。已為華虹半導體等企業完成 200 余臺設備改造，年節約電費超百萬元，助力半導體工廠實現綠色生產轉型。工作溫度范圍寬泛，滿足低溫烘烤至高溫燒結需求。江蘇晶圓級陶瓷加熱盤廠家

獨特加熱元件設計，熱效率大幅提升，節能環保同時保證長期穩定運行。河北陶瓷加熱盤非標定制

面向半導體熱壓鍵合工藝，國瑞熱控**加熱盤以溫度與壓力協同控制提升鍵合質量。采用陶瓷加熱芯與銅合金散熱基體復合結構，加熱面平面度誤差小于 0.005mm，確保鍵合區域壓力均勻傳遞。溫度調節范圍室溫至 400℃，升溫速率達 40℃/ 秒，可快速達到鍵合溫度并保持穩定（溫度波動 ±0.5℃），適配金 - 金、銅 - 銅等不同金屬鍵合工藝。配備壓力傳感器與位移監測模塊，實時反饋鍵合過程中的壓力變化與芯片位移，通過閉環控制實現壓力（0.1-10MPa）與溫度的精細匹配。與 ASM 太平洋鍵合設備適配，使鍵合界面電阻降低至 5mΩ 以下，為高可靠性芯片互聯提供保障。河北陶瓷加熱盤非標定制

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